氧空缺儲存槽對氧化物電阻式記憶體電阻轉換特性之影響_

English |FB 專頁 |Mobile

免費會員登入| 註冊

(3.238.173.209) 您好！臺灣時間：2021/05/16 20:12

字體大小：

詳目顯示:::

第 1 筆 / 共 1 筆

/1頁

論文基本資料
紙本論文
論文連結
QR Code

本論文永久網址:

研究生:

黃久倖

研究生(外文):

Jiu-XingHuang

論文名稱:

氧空缺儲存槽對氧化物電阻式記憶體電阻轉換特性之影響

論文名稱(外文):

Influence of oxygen vacancy reservoirs on resistive switching characteristics of oxide based resistance switching memories

指導教授:

陳貞夙

指導教授(外文):

Jen-Sue Chen

學位類別:

碩士

校院名稱:

國立成功大學

系所名稱:

材料科學及工程學系

學門:

工程學門

學類:

材料工程學類

論文種類:

學術論文

論文出版年:

2016

畢業學年度:

104

語文別:

中文

論文頁數:

150

相關次數:

被引用:0
點閱:63
評分:
下載:0
書目收藏:0

國圖紙本論文

連結至畢業學校之論文網頁點我開啟連結
註: 此連結為研究生畢業學校所提供，不一定有電子全文可供下載，若連結有誤，請點選上方之〝勘誤回報〞功能，我們會盡快修正，謝謝！

推文
網路書籤
推薦
評分
引用網址
轉寄

top

相關論文
相關期刊
熱門點閱論文

無相關論文

無相關期刊

無相關點閱論文

簡易查詢 | 進階查詢 | 熱門排行 | 我的研究室