跳到主要內容

臺灣博碩士論文加值系統

(2600:1f28:365:80b0:f3de:de2a:940c:ec8b) 您好!臺灣時間:2024/12/10 07:52
字體大小: 字級放大   字級縮小   預設字形  
回查詢結果 :::

詳目顯示

: 
twitterline
研究生:楊家瑋
研究生(外文):Chia-Wei Yang
論文名稱:鎳/氧化鎳薄膜微結構及磁性質之研究
論文名稱(外文):Microstructures and Magnetic Properties of Ni/NiO Thin Film
指導教授:林克偉林克偉引用關係
口試委員:孫安正張晃暐
口試日期:2017-01-17
學位類別:碩士
校院名稱:國立中興大學
系所名稱:材料科學與工程學系所
學門:工程學門
學類:材料工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2017
畢業學年度:105
語文別:中文
論文頁數:48
中文關鍵詞:氧化鎳磁性薄膜
外文關鍵詞:NiNiOThin FilmMagnetic Properties
相關次數:
  • 被引用被引用:0
  • 點閱點閱:963
  • 評分評分:
  • 下載下載:22
  • 收藏至我的研究室書目清單書目收藏:0
本研究使用雙離子束輔助濺鍍系統,在矽基板上製備鎳/氧化鎳(16%O2/Ar)雙層薄膜,並利用X-Ray繞射分析確認此薄膜的晶體結構 ; 穿透式電子顯微鏡(TEM)進行晶粒大小、成分結構和薄膜厚度等分析,進而再與XRD的分析結果做出比對驗證。
XRD分析結果顯示鎳/氧化鎳雙層薄膜中; 鎳層具有面心立方(F.C.C)結構,晶格常數約為3.53 Å;而氧化鎳層亦為面心立方結構,晶格常數約為4.29Å。穿透式電子顯微鏡分析顯示晶粒大小介於8~35nm。
震動樣品磁力計(VSM)研究結果顯示 :鎳/氧化鎳(16%O2/Ar)雙層薄膜在室溫(T=298K)之磁性質為飽和磁化強度Ms = 1.3 memu ,矯頑磁力Hc = 2.6 Oe 。交換偏壓Hex =6 Oe 。無明顯交換偏壓場的原因可能為常溫之下, 晶格因熱擾動導致晶格震動影響造成 。從鎳/氧化鎳(16%O2/Ar)雙層薄膜在室溫(T=298K)量測出磁滯曲線圖可以看出 ,試片於平行膜面量測時達到飽和所需的外加磁場較垂直膜面量測時來得小,故可以得知此試片有平行膜面方向的易磁化軸。
目錄
第一章、緒論 1
1-1 前言 1
1-2 基礎理論 2
1-2-1磁性物質簡介 2
1-2-2磁異向性 7
1-3 交換耦合機制 9
1-3-1交換耦合理論模型 11
1-4 磁性材料應用 15
1-5 文獻回顧 17
1-6 第一章參考文獻 19
第二章、實驗方法與設計 20
2-1 實驗設計與實驗流程 20
2-2 材料選用 22
2-3 樣品製備 24
2-4 雙離子束濺鍍系統(Ion Beam Assisted Depsition,IBAD) 26
2-5第二章參考文獻 30
第三章、分析儀器原理與介紹 31
3-1 X光繞射儀(X-Ray Diffraction,XRD) 31
3-2 穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron Microscopy,TEM) 34
3-3震動樣品磁力計(Vibrating Sample Magnetometer,VSM) 39
3-4 第三章參考文獻 40
第四章、結果與討論 41
4-1 X光繞射分析(XRD) 41
4-1-2 穿透式電子顯微鏡(TEM)微結構分析 43
4-1-3 震動樣品磁力計(VSM)磁性量測 46
第五章、結論 48
第一章參考文獻
[1] J. M. Daughton, Thin Solid Films, 216, 162-168 (1992).
[2] W. H. Meiklejohn, J. Appl. Phys. 33, 1328 (1962).
[3] W. H. Meiklejohn, C.P. Bean, Phys. Rev.,102, 1413(1956).
[4] D. Mauri, H. C. Siegmann, J. Appl. Phys., 82, 3047 (1987).
[5] A. P. Malozemoff, Phys. Rev. B., 35, 3679 (1987).
[6] N. C. Koon, Phys. Rev. Lett., 78, 4865 (1997).
[7] T. C. Schulthess and W. H. Butler, Phys. Rev. Lett., 81, 4516 (1998).
[8] A. E. Berkowitz, Kentaro Takano, J. Magn. Magn. Mater., 200, 552 (1999).
[9] J. Nogu’es, Ivan K. Schuller, J. Magn. Magn. Mater., 192, 203 (1999).
[10] 杜怡君、張毓娟、翁乙壬、蘇怡帆、陳世毓、梁哲銘、葉巧雯、吳信璋、卓育泯,磁性基本特性及磁性材料應用國立台灣大學化學系。
[11] Nicola A.Spaldin,”Magnetic materials”, (2010).
[12] David Jiles,”Introduction to magnetism and magnetic materials”,Chapman & Hall.
[13] 金重勳主編,”磁性技術手冊”,中華民國磁性技術協會。
[14] 鄭振東,“實用磁性材料”,全華科技圖書股份有限公司(1999)。
[15] J. Nogues, J. Sort, V. langlais, V. Skumryev, S. Surinach, J.S. Munoz, M.D. Baro, Phys. Rep.,422 65-117(2005).
[16] 胡裕民、黃榮俊,”鐵磁/反鐵磁金屬薄膜之間的交換磁異向性”,物理雙月刊22卷六期。
[17] N. Smith, W.C. J. Appl. Phys., 69, 2471 (1991).
[18] U. Nowak, K. D. Usadel, Phys. Rev. B., 66, 014430 (2002).
[19] N. Persat, A. Dinia, J. P. Jay, C. Meny, P. Panissod J. Magn. Magn. Mater., 164, 37 (1996).
[20] M. Fraune, U. Rüdiger, and G. GüntherodtS. Cardoso and P. Freitas (2000)
第二章參考文獻
[1] SOCRATIC , https://socratic.org
[2] Shriver & Atkins, Inorganic Chemistry, 4th edition.
[3] J. C. A. Huang, T. E. Wang, C.C. Yu, Y. M. Hu, P. B. Lee, M. S. Yang, J. Cryst. Growth. 171, 442, (1997).
[4] E. M. Levin et al,”Phase Diagram for Ceramists”, Amer. Cer. Soc., (1964).
[5] T. C. Anthony, J. Brug, S. Zhang, IEEE Trans. Magn., 30, 3818 (1994).
[6] A. E. Beekowitz, K. Takono, J. Magn. Magn. Mater., 200, 552 (1999).
[7] D. Lederman, J. Nogues, Phys. Rev. B. 56(5), 2332 (1997).
[8] V. M. Jimenez, J. P. Espinos, A. R. Gonzalez-Elipe, Surf. Interface Anal. 26, 62, (1998).
[9] R. C. O’Handley, ”Modern Magnetic Materials”, John Wiley and Sons Inc., 2000.
[10] A. D. D. Broemme, IEEE Trans. Electr. Insul. 26, 49, 1991.
[11] G. Rollmann, A. Rohrbach, Phys. Rev. B. 69, 165107 (2004).
[12] William C. Cain, William H. Meiklejohn, J. Appl. Phys., 61, 4170 (1987).
[13] T. B. Massalski et al., “Binary Alloy Phase Diagrams”, ASM Internation,1990.
[14] V. Raghavan,”Phase diagrams of Ternary iron alloys part 5 Ternary systems containing iron and oxygen”.
[15] J. J. Cuomo, S. M. Rossnagel, H. R. Kaufman, ”Handbook of ion beam processing technology : principles, deposition, film modification, and synthesis”, Noyes Publication, 1989.
[16] 李正中,”薄膜光學與鍍膜技術”,逸軒圖書出版社,2001。
[17] H. R. Kaufman, R. S. Robinson, “End Hall Ion Source”, J. Vac. Sci. Technol. A, 5(3), 2081 (1987).
[18] C. Weissmantle,”Ion Beam Deposition of Special Film Structure”, J. Vac. Sci. Technol., 18, 179 (1989).
[19] K. W. Lin, M. R. Wei, J. Y. Guo, J. Nanotechnol., 9, 2023 (2009).
[20] T. C. Huang, G. Lim, F. Parmigiani, E. Kay, J. Vac. Sci. Technol. A, 3, 216 (1985).
[21] Milton Ohring,”Materials Science of Thin Films”, (2002).
第三章參考文獻
[1] 汪建民主編,”材料分析”, 中國材料學學會。
[2] C. H. Lai, P. H. Huang, J. Appl. Phys., 95, 7222 (2004).
[3] 陳力俊主編,”材料電子顯微鏡學”, 國家實驗研究院儀器科技研究中心。
[4] David B. Williams, C.Barry Carter,”Transmission Electron Microscopy”, Plenum Press (1996).
[5] 劉琪欣,國立中興大學碩士論文(2013)。
[6] T. L. Barr, “Modern ESCA : the principles and practice of X-ray photoelectron spectroscopy”, CRC Press Inc., (1994).
[7] David Jiles,”Magnetism and Magnetic Materials”,Chapman & Hall, (1991).
[8] 楊鴻昌,”最敏感的感測元件SQUID及其前瞻性應用”,物理雙月刊廿四卷五期。
[9] J. Claudon, F. W. J. Hekking, and O. Buisson, Phys. Rev. Lett. 93, 187003 (2004).
連結至畢業學校之論文網頁點我開啟連結
註: 此連結為研究生畢業學校所提供,不一定有電子全文可供下載,若連結有誤,請點選上方之〝勘誤回報〞功能,我們會盡快修正,謝謝!
QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
第一頁 上一頁 下一頁 最後一頁 top