針對電阻值飄移、多階儲存寫入和損耗導致記憶體細胞差異之相變化記憶體多階儲存特性分析及設計_

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研究生:

柯文昇

研究生(外文):

Khwa, Win-San

論文名稱:

針對電阻值飄移、多階儲存寫入和損耗導致記憶體細胞差異之相變化記憶體多階儲存特性分析及設計

論文名稱(外文):

Characterization and Design of Multilevel Cell Phase Change Memory toward Resistance Drift, Multilevel Cell Programming, and Stress-Induced Cell Variation

指導教授:

張孟凡

指導教授(外文):

Chang, Meng-Fan

口試委員:

邱瀝毅、劉靖家、張錫嘉、呂仁碩

口試委員(外文):

Chiou, Lih-Yih、Liou, Jing-Jia、Chang, Hsie-Chia、Liu, Ren-Shuo

口試日期:

2017-05-24

學位類別:

博士

校院名稱:

國立清華大學

系所名稱:

電機工程學系所

學門:

工程學門

學類:

電資工程學類

論文種類:

學術論文

論文出版年:

2017

畢業學年度:

105

語文別:

英文

論文頁數:

120

中文關鍵詞:

相變化記憶體、多階儲存技術、特性分析、電阻值飄移

外文關鍵詞:

phase change memory、multi-level cell technology、charactertization、resistance drift

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