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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:廖一驎
研究生(外文):Yi-Lin - Liao
論文名稱:STT-RAM / DRAM 混合型記憶體管理機制
論文名稱(外文):A STT-RAM / DRAM hybrid architecture for system memory management
指導教授:謝仁偉
指導教授(外文):Jen-Wei Hsieh
口試委員:張立平吳晉賢陳雅淑張哲維
口試日期:2017-01-23
學位類別:碩士
校院名稱:國立臺灣科技大學
系所名稱:資訊工程系
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2016
畢業學年度:105
語文別:中文
論文頁數:50
中文關鍵詞:記憶體管理機制
外文關鍵詞:STT-RAM
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近年來,自旋轉移力矩隨機存取記憶體(spin transfer torque random access memory,STT-RAM) 的崛起吸引了學術界及產業界的注意。相較於DRAM,STTRAM 在結構上更加簡單,並且有較快的存取速度與較低的功率消耗。然而,STT-RAM 目前並無法完全取代DRAM,因為STT-RAM 目前仍在發展階段,因此 STT-RAM 的單位儲存成本仍比DRAM 高出許多。在本篇論文中,我們提出了一個STT-RAM/DRAM 混合型記憶體管理機制,結合DRAM 與少量STT-RAM,做為主機端的主記憶體。實驗結果顯示,2GB 的DRAM 結合128MB 的STT-RAM 可以減少記憶體單元58.07% 的功耗,並且提昇42.8% 的系統效能。
In recent years, the emerging of STT-RAM (Spin Transfer Torque Random Access
Memory) has drawn a lot attentions from both academia and industry. Compared with DRAM, STT-RAM has simpler structure, lower access latency, and lower power consumption. However, STT-RAM cannot replace DRAM since STT-RAM is still in the earlier stage of development and its cost is much higher than DRAM. In this paper, we present a STT-RAM/DRAM hybrid memory management scheme that combines a small amount of STT-RAM with DRAM as the main memory for the host. The experiment results showed that 2GB DRAM with 128MB STT-RAM can reduce 58.07% power consumption of memory unit and improve 42.8% system performance.
1 Introduction
2 Background
2.1 DRAM
2.2 STT-RAM
2.3 Mapping work principle
2.4 Hybrid memory
2.5 Hybrid DRAM & STT-RAM 記憶體架構
3 研究方法
3.1 HDMT
3.2 實體記憶體位置編排
3.3 Front Mapping Area
3.4 Replacement Table
3.5 STT-RAM region item victim policy
3.6 CPU 讀操作需求流程圖
3.7 CPU 寫操作需求流程圖
4 實驗設計
4.1 模擬系統參數
4.2 Trace 設計與產生方式
5 實驗結果與分析
5.1 Hit ratio
5.2 省電效能比較與分析
5.3 系統記憶體讀寫操作比例分析
5.4 系統效能分析
6 結論
[1] D. Culler, EECS 150 - Components and Design Techniques for Digital Systems, Electrical Engineering and Computer Sciences University of California, Berkeley.
[2] N. S. T. T. J. I. Hiroki Noguchi, Kazutaka Ikegami and S. Fujita., “Highly reliable and low-power nonvolatile cache memory with advanced perpendicular stt-mram for high-performance cpu.,” VLSI Circuits Digest of Technical Papers, 2014 Symposium on, pp. 1 – 2, 10-13 June 2014.
[3] Alex, Raspberry Pi2–Power and Performance Measurement, 2015 (accessed February 3, 2015).
[4] J. Quigley., “Micron dram products overview.,” August 27, 2013.
[5] M. Technology., “4gb: x16, x32 mobile lpddr2 sdram s4 features.,” 2011.
[6] T. Pathak, What is the difference between TLB and MMU in OS?, 25 Jan 2014.
[7] M. vicente, Page table, 05:12, 11 January 2010.
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