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研究生:劉子豪
論文名稱:氧化鋅半導體雜質能陷的光學與電學特性之研究
論文名稱(外文):The Study of Optical and Electrical Properties of the Defect in ZnO Impurities Semiconductor
指導教授:范榮權
指導教授(外文):Jung-Chuan Fan
口試委員:林春榮宋皇輝范榮權
口試委員(外文):LIN,CHUN-RONGSUNG,HUANG-HUEIJung-Chuan Fan
口試日期:2018-01-29
學位類別:碩士
校院名稱:大葉大學
系所名稱:電機工程學系
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2018
畢業學年度:106
語文別:中文
論文頁數:56
中文關鍵詞:氧化鋅快速熱退火化學氣相沉積法
外文關鍵詞:zinc oxideRAPID-THERMAL CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
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本論文主要是利用快速熱退火化學氣相沉積法(Rapid-Thermal Chemical Vapor Deposition, RTCVD)來成長氧化鋅半導體,這次主要使用石英玻璃當作成長基板,固定鍍膜時間,改變鍍膜溫度分別為350 oC、400 oC、450 oC以及500 oC下來成長氧化鋅半導體,並比較出鍍膜溫度的不同而影響氧化鋅的差異性。
我們主要是利用UV-Vis紫外光可見光分光光度計來量測氧化鋅,觀察出光對氧化鋅的穿透率及吸收率的影響,實驗中我們發現四種參數的樣品穿透率平均都達70 %,吸收峰可以判斷出能隙分別為3.26 eV、3.21 eV、3.23 eV以及3.24 eV,並且使用X光繞射儀來檢測出成長之薄膜晶格結構在500 oC時擁有較明顯的氧化鋅峰值。最後在使用掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscopy, SEM)來觀察薄膜的實際表面的型態結構,發現成長出氧化鋅奈米線。

The purpose of this paper is investigating the zinc oxide films grown on quartz glass by using Rapid-Thermal Chemical Vapor Deposition(RTCVD) system.The ZnO films were grown at different heating temperatures(350 oC、400 oC、450 oC、500 oC)with 5hr.The ZnO samples were characterized by X-ray diffraction (XRD),scanning electron microscopy (SEM),UV-Vis.
The UV-Vis shows the average optical transmittance within the visible spectra is more than 70 %. From absorption peak to know energy gap respectively 3.26 eV、3.21 eV、3.23 eV and 3.24 eV.The SEM image shows the zinc oxide nanowires width is about 37.5 nm ~ 62.5 nm.

目錄

封面內頁
簽名頁
中文摘要 ..................... iii
英文摘要......................iv
誌謝 .......................v
目錄........................ vi
圖目錄.......................viii
表目錄.......................x

第一章 緒論
1.1 前言..................1
1.2 研究目的................1
第二章 文獻回顧
2.1 氧化鋅薄膜的介紹............ 3
2.1.1 光電性質................ 4
第三章 實驗原理及步驟
3.1 實驗流程............. . 9
3.2 實驗裝置...............11
3.3 鍍膜參數及步驟..............12
3.3.1 鍍膜參數..............12
3.3.2 基板清洗..............13
3.3.3 氧化鋅製成步驟...........13
3.4 特性量測與應用分析............14
3.4.1 X光繞射儀.............14
3.4.2 掃描式電子顯微鏡......... 17
3.4.3 EDS元素分析............18
3.4.4 分光光度計(UV) ..........20
3.4.5 半導體特性量測儀......... 25
第四章 結果與討論
4.1 製程參數對氧化鋅的結構造成的影響....26
4.2 X光繞射儀.................36
4.3 場發掃描式電子顯微鏡........... 41
4.4 電性量測..................53
第五章 結論.......................54
參考文獻..........................55

參考文獻

[1]、K. C. Park, D. Y. Ma, K. H. Kim, “The physical properties of Al-doped zinc oxide films prepared by RF magnetron sputtering“, Thin Solid Films 305 (1997) 201-209
[2]、J. K. sheu, K. W. Shu, M. L. Lee, C. J. Tun, and G. C. Chi, “Effect of thermal annealing on Ga-doped ZnO films prepared by magnetron sputtering”, Journal of The Electrochemical Society. 154 (6) H521-H524 (2007)
[3]、J. H. Bae, J. M. Moon, J. W. Kang, H. D. Park, J. J. Kim, W. J. Cho, and H. K. Kima, “Transparent, Low Resistance, and Flexible Amorphous ZnO-Doped In2O3 Anode Grown on a PES Substrate”, Journal of The Electrochemical Society, 154 (3) J81-J85 (2007)
[4]、楊明輝;工業材料雜誌,第265期2009年1月,P.135
[5]、Hiromichi Ohta, Ken-ichi Kawamuram,Masahiro Orita, and
Masahiro Hirano VOLUME 77,NUMBER 4 24 JULY (2000)
[6]、S. Major, Satyendra Kumar, M. Bhatnagar, and K. L. Chopra, “Effect of hydrogen plasma treatment on transparent conducting oxides”, Appl. Phys. Lett. 49, 394 (1986).
[7]、S.H.Jeong, J.H.Boo, “InFluence of target-to-substrate distance on the properties of AZO films grown by RF magnetron sputtering”, Thin Soild Films 447-448 (2004) 105-110



[8]、H. L. Hartnagel, A. K. Jain and C. Jagadish, “Semiconducting
Transparent Thin Films”, published by Institute of Physics
Publication, 1995, Chap. 3.
[9]、B. Lin, Z. Fu, Y. Jia, “Green luminescent center in undoped zinc
oxide films deposited on silicon substrates”, Appl. Phys. Lett., 79,
943 (2001)
[10]、I. Hamberg, C. G. Granqvist, K. -F. Berggren, B. E. Sernelius,
and L. Engström, “Band-gap widening in heavily Sn-doped
In2O3”, Phys. Rev. B 30, 3240 - 3249 (1984)
[11]、吳昌任,私立大葉大學,電機工程學系,碩士論文,2011
[12]、張裕盈,私立大葉大學,電機工程學系,碩士論文,2013
[13]、郭益男,國立中山大學,電機工程學系,碩士論文,2004
[14]、H. P. Myers. Introductory Solid State Physics. Taylor & Francis.
2002. ISBN 0-7484-0660-3.
[15]、黃承尉,私立大葉大學,電機工程學系,碩士論文,2017
[16]、李世鴻,「電轉氣與燃料電池技術」,收錄於「儲能技術概 論」第九章,曾重仁主編,國立中央大學機械工程學系,2015年2月。
[17]、施敏,半導體元件物理與製作技術,交大出版社,台北,2002
[18]、彭子安,私立大葉大學,電機工程學系,碩士論文,2009

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