臺灣博碩士論文加值系統

本實驗室利用快速升溫化學氣相沉積系統(Rapid-Thermal Chemical Vapor Deposition；RTCVD)去成長氧化銅(CuO)薄膜，並且去探討氧化銅(CuO)的電學特性，本實驗使用3種不同的參數並放入真空的腔體中，分別為200 OC升溫製程3小時、250 OC升溫製程3小時、300 OC升溫製程3小時，去研究快速升溫化學氣相沉積系統對氧化銅半導體的電學特性之影響。
製程完的三種樣品，再以三種儀器去分析樣品的成分，分別有分光光度計(UV-Basic)、X光繞射儀(XRD)、場發射掃描式電子顯微鏡(SEM)，X光繞射儀的量測觀察三種參數的峰值，比對其他的文獻參考，有兩個peak相較比較明顯，2θ分別為35及38的位置，場發射掃描式電子顯微鏡量測在200 OC、250 OC、300 OC升溫製程3小時，觀察表面薄膜結構。

The purpose of this paper is investigating electrical properties Copper(II) Oxide thin film grown on corning glass by using Rapid-Thermal Chemical Vapor Deposition(RTCVD) system.The CuO films were fabricated at different heating temperatures(200OC、250OC、300OC)with 3hr.
The CuO samples were characterized by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), UV-Vis. The X-ray diffraction (XRD) ,the CuO thin films show the two peaks at 35 and 38. The SEM image shows the CuO thin film is very flat and smooth in the surface of nanostructures.The UV-Vis show that the average optical transmittance within the visible spectra can be more than 70 %.From the absorption spectra analysis the energy gaps of CuO thin films can be found at the 1.48 eV、1.47 eV、1.44 eV for grown temperatures at 200 OC、250 OC、300 OC, respectively.

目錄

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中文摘要．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．iii
英文摘要．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．iv
誌謝．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．v
目錄．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．vi
圖目錄．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．viii
表目錄．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．x

第一章 緒論．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．1
1.1前言．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．1
1.2研究動機．．．．．．．．．．．．．．．．．．．2
第二章 文獻回顧．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．3
2.1銅原子的介紹．．．．．．．．．．．．．．．．．3
2.2氧化銅的介紹．．．．．．．．．．．．．．．．．4
2.3氧化亞銅的介紹．．．．．．．．．．．．．．．．6
2.4快速升溫化學氣相沉積系統的介紹．．．．．．．．8
第三章 實驗方法與流程．．．．．．．．．．．．．．．．．．9
3.1實驗流程．．．．．．．．．．．．．．．．．．．9
3.2實驗材料．．．．．．．．．．．．．．．．．．．10
3.3實驗設備．．．．．．．．．．．．．．．．．．．11
3.4鍍膜參數．．．．．．．．．．．．．．．．．．．12

3.5實驗步驟．．．．．．．．．．．．．．．．．．．13
3.6分析儀器．．．．．．．．．．．．．．．．．．．15
第四章 結果討論與數據分析．．．．．．．．．．．．．．．19
4.1樣品參數的決定．．．．．．．．．．．．．．．．19
4.2 UV量測分析穿透率及吸收率．．．．．．．．．．19
4.3XRD量測分析．．．．．．． ．．．．．．．．．27
4.4SEM量測分析．． ．．．．．．．．．．．．．．30
第五章 結論．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．38
參考文獻．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．39

第六章 參考文獻

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