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研究生:黃成富
研究生(外文):Huang,Cheng-Fu
論文名稱:某晶圓廠IPA濕式清洗製程的 VOCs排放減量研究
論文名稱(外文):The Study of Volatile Organic Solvents (VOCs) Emission Reduction of Semiconductor Manufacturing in IPA Wet Cleaning Process
指導教授:蔡春進蔡春進引用關係
指導教授(外文):Tsai,Chuen-Jinn
口試委員:張木彬程裕祥黃政雄
口試委員(外文):Chang,Moo-BeenCheng,Yu-HsiangHuang,Cheng-Hsiung
口試日期:2017-09-15
學位類別:碩士
校院名稱:國立交通大學
系所名稱:工學院永續環境科技學程
學門:環境保護學門
學類:其他環境保護學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2017
畢業學年度:106
語文別:中文
論文頁數:104
中文關鍵詞:VOCs排放量IPA(異丙醇)濕式清洗製程火焰離子偵測器(FID)
外文關鍵詞:VOCs emissionsIPA (Isopropyl alcohol)Wet Cleaning ProcessFlame Ionization Detectors
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第一章 前言 1
1.1 研究緣起 1
1.2 研究目的 2
第二章 文獻回顧 1
2.1揮發性有機物說明 1
2.1.1揮發性有機物定義 1
2.1.2揮發性有機物之影響特性 2
2.1.3 IPA(異丙醇) 3
2.2半導體製程簡介 5
2.2.1晶圓濕式清洗製程 6
2.3半導體製造業空氣污染管制及排放標準 12
2.4火焰離子偵測器簡介 14
2.5有機溶劑揮發量推估方式 15
2.5.1在無風條件下之有機溶劑揮發量估算 16
2.5.2有風條件下有機溶劑揮發量之估算方法 18
第三章 研究方法 23
3.1研究流程 23
3.2污染物(IPA)排放濃度採樣方法 25
3.2.1關鍵製程參數採樣前準備 25
3.2.2採樣位置設定 27
3.2.3採樣濃度與污染物排放量 27
3.3品保及品管 35
3.3.1風速計 35
3.3.2火焰離子偵測器 35
第四章 結果與討論 42
4.1加熱溫度對污染物(IPA)濃度影響(無Wafer狀態) 42
4.2 Exhaust風速對污染物(IPA)排放量影響(無Wafer狀態)52
4.3 HEPA風量對污染物(IPA)濃度影響(無Wafer狀態) 62
4.4優化後關鍵製程參數導入實廠成果(有Wafer狀態) 69
4.5關鍵製程參數經濟效應比較及分析 75
第五章 結論與建議 78
5.1 結論 78
5.2 建議 80
參考文獻 81
附錄 85
附錄1:日立HEPA過濾器PCU-0606DB-E規格表(風量0~6.9m3/min) 85
附錄2:TVA-1000B Manual/ Dynamic Range 86
附錄3:Thermo TVA 1000 Response Factors 87
附錄4:TVA-1000B Manual/ Response Factor Multiplier 89
附錄5:加熱溫度對 (IPA)濃度影響數據(無Wafer狀態) 91
附錄6:Exhaust風速對(IPA)排放量影響(無Wafer狀態) 94
附錄7:HEPA風量對(IPA)濃度影響(無Wafer狀態) 97
附錄8:減量後關鍵製程參數實廠成果(有Wafer狀態) 100
附錄9:沸石轉輪防制設備出口端檢測數據(原製程參數) 103
附錄10:沸石轉輪防制設備出口端檢測數據(優化製程參數) 104
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[30] 環保署, 「公私場所固定污染源空氣污染物排放量計算方法規定」, 2012. https://www.epa.gov.tw/lp.asp?ctNode=30596&CtUnit=793&BaseDSD=7&mp=epa
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