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研究生:李家豪
研究生(外文):LI, JIA-HAO
論文名稱:凸塊負型光阻塗佈的光阻減量最佳化參數研究
論文名稱(外文):The Study of Negative Photoresist Reduction Issue for Bump Formation Process
指導教授:施明昌施明昌引用關係
指導教授(外文):SHIH, MING-CHANG
口試委員:藍文厚李孟恩
口試委員(外文):LAN, WEN-HOWLI, MENG-EN
口試日期:2018-07-17
學位類別:碩士
校院名稱:國立高雄大學
系所名稱:電機工程學系-電子構裝整合技術產業碩士專班
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2018
畢業學年度:106
語文別:中文
論文頁數:71
中文關鍵詞:凸塊製程光阻塗佈光阻減量
外文關鍵詞:BumpingPhotoresist CoatingPhotoresist Reduction
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本論文主要是針對凸塊製程中的負型光阻塗佈製程,利用實驗手法來達到光阻減量的目的。且利用常態分配檢定、變異數檢定及反應曲面法進行統計分析後,而得到最佳化參數,也了解到對於光阻塗佈製程的顯著因子為光阻主旋轉速度以及旋轉時間。最後使用模擬晶圓應用新參數作業驗證,針對負型光阻聚醯亞胺的品質項目以統計手法進行分析,仔細地去驗證新參數的作業適用性。最後更以客戶實際晶圓使用新參數作業做最後驗證,來加強驗證新參數實際做作業的可行性。新參數的導入,在不改變原產品作業品質的情況下,光阻減量可達20%以上。
This thesis is to study the photoresist reduction parameter in the bumping negative photoresist coating process. Statistical parameter analysis were carried out by using normal distribution verification and analysis of variance verification. The significant factors of negative photoresist coat process are major spin speed and major spin speed time. By using dummy wafer to process new parameter, then confirm the quality index by statistical analysis, and carefully to verify the applicability of the new operating parameters. Lastly we use real wafer to process new parameter and also analyzed by statistical software, to realize the applicability of new parameters. Finally, we can get the reduce amount of 20% of the photoresist after implement new parameters.
目錄
致謝 I
摘要 II
ABSTRACT III
目錄 IV
圖目錄 VII
表目錄 X
第一章、研究背景介紹 1
1.1前言 1
1.2研究動機及目的 3
1.3章節組織及提要 4
第二章、凸塊製程介紹 5
2.1凸塊製程技術 5
2.2負型黃光製程技術 12
2.3實驗設計及反應曲面法應用 16
第三章、光阻塗佈的最佳化 20
3.1實驗設計 20
3.2凸塊製程材料介紹 22
3.3製程設備與儀器 23
3.4塗佈參數最佳化實驗設計 25
3.4.1光阻噴灑時間減少實驗 26
3.4.2主旋轉速度與光阻平均厚度確認 27
3.4.3塗佈參數最佳化實驗 29
3.5模擬晶圓進行塗佈最佳化參數驗證 33
3.6實際晶圓進行塗佈最佳化參數驗證 35
第四章、結果與討論 36
4.1塗佈參數最佳化實驗結果 36
4.1.1光阻噴灑時間減少實驗結果 36
4.1.2塗佈最佳化參數微調結果 39
4.1.3實驗設計結果的可靠性確認 41
4.1.4顯著因子的驗證 43
4.1.4.1光阻平均厚度對應的顯著因子 43
4.1.4.2光阻均勻度對應的顯著因子 44
4.1.4.3塗佈不均不良對應的顯著因子 45
4.1.5最佳化參數 46
4.1.6操作範圍選定 48
4.2模擬晶圓進行塗佈最佳化參數驗證結果 50
4.2.1黃光製程的品質確認結果 50
4.2.1.1顯影後光阻平均厚度比較 50
4.2.1.2光阻開孔尺寸比較 52
4.2.1.3顯影後開口以及SEM確認 55
4.2.1.4顯影後的光阻剝落及光阻殘留不良率比較 56
4.3實際晶圓進行塗佈最佳化參數驗證結果 57
4.3.1黃光製程的品質確認結果 57
4.3.1.1光阻開孔尺寸比較 57
4.3.1.2顯影後開口以及SEM確認 60
4.3.1.3顯影後的塗佈不均及光阻剝落不良率比較 61
第五章、結論 62
參考文獻 64


參考文獻
[1] Moore, Gordon, "Progress in Digital Integrated Electronics" IEEE, IEDM
Tech Digest,(11-13), (1975).
[2] Hellen Chang, WLCSP Production Process Instroduction, ASEKH
internal material, (2011).
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[4] Ramon Lin, Bumping Polyimide Process Training Material, ASEKH internal material, (2013).
[5] Fisher, Ronald Aylmer, Statistical Methods for Research Workers,
(1925).
[6] Tzuting Chen, EDA DOE training material, ASEKH internal material,
(2013).
[7] Box, G. E. P., Wilson, K. B., On the Experimental Attainment of
Optimum Conditions, Journal of the Royal Statistical Society, (1951).
[8] 林良達, 應用六標準差於品質改善之研究-以汽車煞車零件為例, 南
台科技大學工業管理研究所碩士論文, (2010).
[9] Box, G. E. P., Behnken, D. W. , Some New Three Level Designs for the
Study of Quantitative Variables, Technometrics, (1960)
[10] 蘇朝墩, 六標準差- chapter7 反應曲面法, 清華大學工業工程與工程
管理系, (2009).

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