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臺灣博碩士論文加值系統

(18.97.9.174) 您好!臺灣時間:2024/12/03 20:00
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研究生:吳展誥
研究生(外文):Zhan-GaoWu
論文名稱:利用結構工程改善以原子層沉積技術備製之氮化鋁鎵/氮化鎵金氧半高電子遷移率電晶體之特性
論文名稱(外文):Properties of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors with Atomic Layer Deposited Gate Dielectric using Structural Engineering
指導教授:王永和王永和引用關係
指導教授(外文):Yeong-Her Wang
學位類別:碩士
校院名稱:國立成功大學
系所名稱:微電子工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2019
畢業學年度:107
語文別:英文
論文頁數:128
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