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研究生:陳俊安
研究生(外文):CHEN, CHUN-AN
論文名稱:鉺氮鐿摻雜氧化鋅鎂二極體研究
論文名稱(外文):Study of Er, N and Yb doped MgZnO Diode
指導教授:藍文厚
指導教授(外文):LAN, WEN-HOW
口試委員:李允立施明昌
口試委員(外文):LI, YUN-LISHI, MING-CHANG
口試日期:2020-07-21
學位類別:碩士
校院名稱:國立高雄大學
系所名稱:電機工程學系碩博士班
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2020
畢業學年度:108
語文別:中文
論文頁數:101
中文關鍵詞:氧化鋅鎂二極體
外文關鍵詞:MgZnOErbiumNitrogenYtterbiumLED
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目錄
論文審定書 i
摘要 ii
ABSTRACT iv
誌謝 vi
目錄 vii
圖目錄 x
表目錄 xii
第一章 緒論 1
1.1 前言 1
1.2 研究動機 2
第二章 基礎理論和文獻回顧 3
2.1 氧化鋅 3
2.1.1 氧化鋅薄膜特性與結構 3
2.1.2 氧化鋅薄膜導電特性 3
2.2 噴霧熱裂解法 5
2.3 發光二極體 6
第三章 量測儀器與實驗流程 7
3.1 實驗藥品及量測儀器 7
3.1.1 實驗藥品 7
3.1.2 實驗儀器 8
3.2 實驗流程 9
3.2.1 清洗基板 9
3.2.2 配置溶液 9
3.2.3 製備薄膜 9
3.2.4 製作電極 9
3.3 量測方法 10
3.3.1 電流-電壓特性和理想因子 10
3.3.2 光激發螢光 12
3.3.3 X光繞射分析 13
3.3.4 掃描式電子顯微鏡 14
3.3.5 電容電壓特性取線 15
第四章 實驗結果與討論 16
4.1 P-Si/MgZnO:Er,(N)/ZnO:In元件前述與代號 17
4.1.1 P-Si/MgZnO:Er,(N)/ZnO:In元件表面形貌與橫截面分析 19
4.1.2 P-Si/MgZnO:Er,(N)/ZnO:In元件XRD分析 21
4.1.3 P-Si/MgZnO:Er,(N)/ZnO:In元件PL光譜分析 22
4.1.4 P-Si/MgZnO:Er,(N)/ZnO:In元件電流-電壓與理想因子分析 26
4.1.5 P-Si/MgZnO:Er,(N)/ZnO:In元件電流-電壓與理想因子分析 29
4.1.6 P-Si/MgZnO:Er,(N)/ZnO:In元件EL光譜與操作電流50mA的EL光譜能態分析 31
4.1.7 P-Si/MgZnO:Er,(N)/ZnO:In元件光強度對電流分析 34
4.2 P-Si/MgZnO:Er,(Yb)/ZnO:In元件前述與代號 35
4.2.1 P-Si/MgZnO:Er,(Yb)/ZnO:In元件表面形貌與橫截面分析 36
4.2.2 P-Si/MgZnO:Er,(Yb)/ZnO:In元件XRD分析 38
4.2.3 P-Si/MgZnO:Er,(Yb)/ZnO:In元件PL光譜分析 39
4.2.4 P-Si/MgZnO:Er,(Yb)/ZnO:In元件電流-電壓與理想因子分析 44
4.2.5 P-Si/MgZnO:Er,(Yb)/ZnO:In元件CV與Nx分析 47
4.2.6 P-Si/MgZnO:Er,(Yb)/ZnO:In元件電激發上轉換發光原理 49
4.2.7 P-Si/MgZnO:Er,(Yb)/ZnO:In元件EL光譜與操作電流20mA的EL光譜能態分析 50
4.2.8 P-Si/MgZnO:Er,(Yb)/ZnO:In元件光強度對電流分析 57
4.3 P-Si/MgZnO:Er,(Yb,N)/ZnO:In元件前述與代號 59
4.3.1 P-Si/MgZnO:Er,(Yb,N)/ZnO:In元件表面形貌與橫截面分析 60
4.3.2 P-Si/MgZnO:Er,(Yb,N)/ZnO:In元件XRD的分析 62
4.3.3 P-Si/MgZnO:Er,(Yb,N)/ZnO:In元件PL光譜分析 63
4.3.4 P-Si/MgZnO:Er,(Yb,N)/ZnO:In元件電流-電壓與理想因子分析 67
4.3.5 P-Si/MgZnO:Er,(Yb,N)/ZnO:In元件CV與Nx分析 70
4.3.6 P-Si/MgZnO:Er,(Yb,N)/ZnO:In元件EL光譜與操作電流20mA的EL光譜能態分析 72
4.3.7 P-Si/MgZnO:Er,(Yb,N)/ZnO:In元件光強度對電流分析 78
第五章 結論與未來工作 80
參考文獻 82
附錄 86
A.1 Au-ZnO:In-Au與Ag-ZnO:In-Ag的電流電壓關係曲線 86
A.2 三價鑭系元素的各能階 87
A.3 4.1節內容已發表之文章 88



[1] T. Krishnakumar, A. Kiruthiga, E. Jozwiak, K. Moulaee, G. Neri, Ceramics International 46 (2020) 17076-17084.
[2] H.R. Yousefi, B. Hashemi, A. Mirzaei, H. Roshan, M.H. Sheikhi, Materials Science in Semiconductor Processing 117 (2020) 105172.
[3] N.R. Kim, S.W. Kim, J.H. Bae, S.W. Kang, Thin Solid Films 709 (2020) 138120.
[4] S.P. Singh, S.K. Sharma, D.Y. Kim, Solid State Sciences 99 (2020) 106046.
[5] J. Huang, G. Huang, C. An, X. Xin, X. Chen, Y. Zhao, R. Feng, W. Xiong, Chemosphere 245 (2020) 125545.
[6] W.Y. Lee, N.W. Park, S.Y. Kang, M.S. Kang, T.T.T. Bui, J. Seok, G.S. Kim, E. Saitoh, S.K. Lee, Journal of Alloys and Compounds 815 (2020) 152482.
[7] F.I. Lai, J.F. Yang, Y.C. Hsu, S.Y. Kuo, Journal of colloid and Interface Science 562 (2020) 63-70.
[8] R. Wittawat, R. Rittipun, M. Jarasfah, B. Nattaporn, Materials Today Communications 24 (2020) 101126.
[9] Y. Zhang, G. Zhai, L. Gao, Q. Chen, J. Ren, J. Yu, Y. Yang, Y. Hao, X. Liu, B. Xu, Y. Wu, Materials Science in Semiconductor Processing 117 (2020) 105205.
[10] C. Zhou, R. Hu, Y. Liu, M.M. Huo, L. Li, J. Yu, Organic Electronics 83 (2020) 105753.
[11] M. Llusca, J.L. Vidrier, A. Antony, S. Hernandez, B. Garrido, J. Bertomeu, Thin Solid Films 562 (2014) 456-461.
[12] A.M. Youssef, S.M. Yakout, Optical Materials 107 (2020) 110072.
[13] Y.T. Hsu, C.C. Lee, W.H. Lan, K.F. Huang, K.J. Chang, J.C. Lin, S.Y. Lee, W.J. Lin, M.C. Wang, C.J. Huang, Crystals, 8 (2018), 454-1-454-12.
[14] K. Tang, S. Zhu, Z. Xu, J. Ye, S. Gu, Journal of Alloys and Compounds 696 (2017) 590-594.
[15] L. Zhu, S. Khachadorian, A. Hoffmann, M.R. Phillips, C.T. That, Materials Science in Semiconductor Processing 69 (2017) 57-61.
[16] V. Kumar, A. Pandey, S.K. Swami, O.M. Ntwaeaborwa, H.C. Swart, V. Dutta, Journal of Alloys and Compounds 766 (2018) 429-435.
[17] W. Promnopas, T. Thongtem, S. Thongtem, Superlattices and Microstructures 78 (2015) 71-78.
[18] Y. Ma, H. Gao, Q. Zhang, J. Zhao, R. Huang, N. Zhou, K. Zhang, Y. Han, Journal of Luminescence 225 (2020) 117393.
[19] H.R. Chavez, H.C. Martinez, F.M. Alvaro, R. Farias, Y.M.H. Rodriguez, A.G. Cervantes, A.A. Garcia, N.C. Castro, D.I. Medina, O.E.C. Mayorga, Materials Science in Semiconductor Processing 108 (2020) 104888.
[20] P. Mondal, Optical Materials 98 (2019) 109476.
[21] Y. Miao, Z. Wang, H. Zhao, Q. Chen, H. Wang, M. Wan, L. Chen, K. He, Q. Wang, Materials Science & Engineering B 254 (2020) 114517.
[22] M. Shaheera, K.G. Girija, M. Kaur, V. Geetha, A.K. Debnath, R.K. Vatsa, K.P. Muthe, S.C. Gadkari, Optical Materials 101 (2020) 109723.
[23] P. Sikam, P. Moontragoon, Z. Ikonic, T. Kaewmaraya, P. Thongbai, Applied Surface Science 480 (2019) 621-635.
[24] B.K. Singh, S. Tripathi, Journal of Luminescence 198 (2018) 427-432.
[25] Q.J. Feng, L.Z. Hu, H.W. Liang, Y. Feng, J. Wang, J.C. Sun, J.Z. Zhao, M.K. Li, L. Dong, Applied Surface Science 257 (2010) 1084-1087.
[26] A.R. Corona, R. Rangel, J.J.A. Gil, P.B. Perez, P. Quintana, G.R. Gattorno, Chemosphere 236 (2019) 124368.
[27] A.S. Kamble, B.B. Sinha, K. Chung, M.G. Gil, V. Burungale, C.J. Park, J.H. Kim, P.S. Patil, Electrochimica Acta (2014) 386-393.
[28] R. Daira, A. Kabir, B. Boudjema, C. Sedrati, Solid State Sciences 104 (2020) 106254.
[29] G.G. Untila, T.N. Kost, A.B. Chebotareva, Solar Energy 204 (2020) 395-405.
[30] R. Wittawat, R. Rittipun, M. Jarasfah, B. Nattaporn, Materials Today Communications 24 (2020) 101126.
[31] J.A.A. Trenado, V.K. Jayaraman, M. Bizarro, Materials Letters 269 (2020) 127655.
[32] A.S. Shashkina, A.V. Krivosheikin, N.N. Skvortsov, M.V. Vorotkov, St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2 (2016) 299–305.
[33] E.N. Cho, Y.H. Shin, I. Yun, Microelectronics Reliability 55 (2015) 38–41.
[34] V. Jonauskas, Journal of Quantitative Spectroscopy & Radiative Transfer 239 (2019) 106659.
[35] K. Tanaka, Journal of Non-Crystalline Solids 528 (2020) 119707.
[36] S. Iwan, S. Bambang, J.L. Zhao, S.T. Tan, H.M. Fan, L. Sun, S. Zhang, H.H. Ryu, X.W. Sun, Physica B 407 (2012) 2721-2724.
[37] T.L.V.D.N.D. Silva, P. Kleimann, P. Pittet, G.N. Lu, Solid State Electronics 164 (2020) 107682.
[38] V.H.C. Jasso, F.D.A. Salazar, F.S. Nino, V.A. Mishurnyi, J.M. Juarez, Infrared Physics & Technology 79 (2016) 32~35.
[39] D. Zhu, J. Xu, A.N. Noemaun, J.K. Kim, E.F. Schubert, M.H. Crawford, D.D. Koleske, Applied Physics Letters 94 (2009) 081113.
[40] V.K. Malyutenko, S.S. Bolgov, A.D. Podoltsev, Applied Physics Letters 97 (2010) 251110.
[41] 黃調元譯, 施敏著, 半導體元件物理與製程技術第二版, 國立交通大學出版社, 民102年.
[42] Y. Li, X. Gu, H. GaO, J. Li, Construction and Building Materials 261 (2020) 119984.
[43] H. Yuan, Z. Huang, L. Xu, H. Jia, X. Sun, K. Liu, Journal of Luminescence 224 (2020) 117290.
[44] P.K. Samanta, T. Kamilya, Journal of Nanoengineering and Nanomanufacturing 4 (2014) 1-4.
[45] Y.K. Ahn, Y.K. Jeong, T.Y. Kim, J.U. Cho, N.M. Hwang, Materials Today Communications 25 (2020) 101307.
[46] A.I. Ivanova, E.M. Semenova, O.V. Zhdanova, T.V. Rostova, R.M. Grechishkin, Micron 137 (2020) 102899.
[47] P. Parlanti, S.P. Ghosh, A. Williams, G. Tadvalkar, A. Popratiloff, M.A. Stepp, Experimental Eye Research 194 (2020) 107998.
[48] D. Spehner, A.M. Steyer, L. Bertinetti, I. Orlov, L. Benoit, K.P. Gallay, A. Schertel, P. Schultz, Journal of Structural Biology 211 (2020) 107528.
[49] X. Garros, G. Reimbold, J. Cluzel, D. Munoz, P.J. Ribeyron, Microelectronic Engineering 88 (2011) 1247-1250.
[50] M. Charbonnier, C. Leroux, F. Allain, A. Toffoli, G. Ghibaudo, G. Reimbold, Microelectronic Engineering 88 (2011) 3404–3406.
[51] W. Mtangi, F.D. Auret, A. Chawanda, P.J.J.V. Rensburg, S.M.M. Coelho, J.M. Nel, M. Diale, L.V. Schalkwyk, C. Nyamhere, Materials Science and Engineering B 177 (2012) 180-183.
[52] P. Basnet, D. Samanta, T.I. Chanu, J. Mukherjee, S. Chatterjee, SN Applied Sciences 1 (2019) 633.
[53] A.K. Pal, D.B. Mohan, Applied Surface Science 333 (2015) 244-253
[54] S.L. Chen, W.M. Chen, I.A. Buyanova, Applied Physics Letters 102 (2013) 121103.
[55] W.R. Liu, Y.H. Li, W.F. Hsieh, C.H. Hsu, W.C. Lee, M. Hong, J. Kwo, Journal of Physics D: Applied Physics 41 (2008) 065105.
[56] D. Haldar, A. Ghosh, U.K. Ghorai, S.K. Saha, Materials Research Bulletin 129 (2020) 110879.
[57] L. Anbharasi, E.A.B. Rekha, V.R. Rahul, B. Roy, M. Gunaseelan, S. Yamini, V.N.K.B. Adusumalli, D. Sarkar, V. Mahalingam, J. Senthilselvan, Optics and Laser Technology 126 (2020) 106109.
[58] D. Avram, I. Tiseanu, B.S. Vasile, M. Florea, C. Tiseanu, Scientific Reports 8 (2018) 18033.
[59] S. Unger, F. Lindner, C. Aichele, M. Leich, A. Schwuchow, J. Kobelke, J. Dellith, K. Schuster, H. Bartelt, Laser Phys. 24 (2014) 035103.
[60] P.C.D.S. Filho, J.F. Lima, O.A. Serra, Journal of the Brazilian Chemical Society 26 (2015) 2471-2495

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