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研究生:

陳學儀

研究生(外文):

Chen, Sue-Yi

論文名稱:

具有階梯式閘極氧化物結構的 20V LDMOS於電源管理IC應用的研究：設計、製造和元件特性

論文名稱(外文):

Study on 20 V LDMOS with Stepped-Gate-Oxide Structure for PMIC Applications: Design, Fabrication, and Characteristics

指導教授:

甘炯耀

指導教授(外文):

Gan, Jon-Yiew

口試委員:

熊昌鉑、陳頤承、陳義洋、彭胤瑋、廖士運

口試委員(外文):

Hsiung, Chung-Po、Chen, Yi-Cheng、Chen, Yi-Yang、Peng, Yin-Wei、Liao, Shin-Yun

口試日期:

2022-06-15

學位類別:

博士

校院名稱:

國立清華大學

系所名稱:

材料科學工程學系

學門:

工程學門

學類:

材料工程學類

論文種類:

學術論文

論文出版年:

2022

畢業學年度:

110

語文別:

中文

論文頁數:

114

中文關鍵詞:

功率元件、雙極-互補金屬氧化半導體-雙重擴散金屬氧化半導體工藝、階梯式閘極氧化物場板、導通電阻、效率指標、場板結構、減少表面電場工藝、橫向擴散型金氧半場效電晶體

外文關鍵詞:

PMIC、BCD、SGO、Ron、sp、FOM、Field plate、RESURF、LDMOS

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