臺灣博碩士論文加值系統

國內半導體廠因為特殊應用製程的需求會使用許多種類有害化學物品與危險物質，然而這些化學物品及危險物質皆為具有可燃性、爆炸性、腐蝕性、氧化性毒性等高度反應性的危害物質，如:HF、Cl2、HCl、HBr、SiF4、BCl3或硫化氫、鹽酸、硝酸、二氧化硫等等。
因此半導體科技廠必須使用Local scrubber吸附式尾氣處理設備來分解各種具有酸性、毒性、自燃性、助燃與可燃性之氣體，水洗加藥的設定還能中和強鹼或強酸之液態化學品。有鑑於此，光電、半導體科技廠藉由各種規範管理規定確保達到風險的適當控制，如何讓光電、半導體科技產業做好環境、安全評估，廠務端供應系統的設施、生產作業機台以及製程危害分析等是風險管理關鍵性的步驟。
當地球持續暖化之下我們生活在必定會出現嚴重的影響，溫室氣體PFCs的減少排放量及廢料尾氣妥善的處理是必須量化管制且注重要議題。本人這次實驗的方向是研究半導體科技業的尾氣減低排放量與電漿分解處理後的DRE去除效率排放量所進行的研究。在PFCs氣體中選出CF4氣體作為研究，在實驗數據結果分析後顯示，高溫破壞裂解時，再以添加N2、CDA、O2、H2方式削減受CF4高溫裂解的尾氣濃度，我們可用FTIR霍氏紅外光譜儀量測出該最佳分解去除效率。
將電漿裂解功率設定為 800 W、CF4濃度設定為1000ppm條件下進行實驗，從量測數據得到添加氫氣H2後能夠達到較優異的DRE 分解數值 (57.8 ％)，表示添加不同的稀釋氣體能讓 CF4 的原子分解效率提高。

Domestic semiconductor factories use many types of harmful chemicals and dangerous substances due to the needs of special application processes. However, these chemicals and dangerous substances are highly reactive hazardous substances with flammability, explosiveness, corrosion, oxidative toxicity, etc., such as: HF, Cl2, HCl, HBr, SiF4, BCl3 or hydrochloric acid、sulfur dioxide、Hydrogen sulfide、nitric acid, and so on.
Therefore, semiconductor factories must use local scrubbers to burn and wash machine equipment to decompose various inert, toxic, spontaneous combustion, combustion-supporting and flammable gases, and to neutralize liquid chemicals with strong acids or strong alkalis. However, if these gaseous or liquid chemicals are stored, transported, replaced acid barrels and cylinders, pipeline transportation, process reaction, and tail gas treatment, If not handled properly, it may result in heavy losses and cause immediate harm. In view of this, semiconductor factories use various management methods to achieve appropriate risk control. How to make the semiconductor industry do a good job in risk management, factory supply system facilities, production machines and process hazard analysis are key steps.
In today's global warming, the reduction and follow-up treatment of greenhouse gas PFCs is an important issue. This study is aimed at the reduction of manufacturing process in the semiconductor industry and the reduction of emissions after plasma washing treatment. The research results show that when CF4 gas in PFCs is destroyed and cracked at high temperature, the concentration of waste gas subjected to pyrolysis is reduced by increasing N2, O2, and H2. The best decomposition and removal efficiency is measured by FTIR Huo's infrared spectrometer.
Experiments were carried out under the conditions of plasma cracking power of 1000 W, total inflow rate of 5 slm, and CF4 inflow rate of 10 sccm, and it was found that adding oxygen and hydrogen can obtain a higher DRE value (67.9%) and have higher energy efficiency The experimental results (2.87 g/kWh) indicated that the addition of different diluent gases can help improve the decomposition and removal efficiency of CF4.
Key words: plasma cracking treatment, scrubber, gas, PFCs

第一章 緒論 7
第一節 實驗研究動機 8
第二節 實驗研究目的 10
第二章 文獻探討 13
第一節 尾氣處理流程與特性 14
第二節 介紹科技廠所使用去除全氟化物之設備 17
第三章 研究設計與實施 23
第一節 現場檢測流程 24
第二節 研究架構 26
第三節 實驗設備 28
第四章 製程參數實證結果與分析 33
第一節 分解去除率計算方式 34
第二節 田口法應用探討 35
第三節 各稀釋氣體在電漿裂解去除效率 各產物分析 42
第五章 建議與結論 50
第一節 分析結論 50
第二節 未來展望 51
研究參考文獻 52

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士論文。
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