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(18.97.14.80) 您好！臺灣時間：2024/12/08 01:48
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第一原理計算探討一氧化氮對於ZnGa2O4(111)表面之功函數變化用於氣體感測器 |
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第一原理計算H2S吸附於ZnGa2O4(111)表面其功函數變化及吸附能用於氣體感測器 |
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第一原理研究CO在潮濕環境中吸附於ZnGa2O4(111)表面之功函數變化及吸附能用於氣體感測器 |
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稀土基RXMnZ (R = Lu, Yb; X = Fe, Co, Ni; Z = Si, Ge, Sn)四元哈斯勒合金的電子、磁性和機械性能的第一原理理論研究 |
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利用第一原理研究H2O吸附於ZnGa2O4(111)表面之功函數變化並建構氣體吸附基板數據資料庫用於氣體感測器 |
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利用深度學習方法來預測和分析NO、NO2、CO、CO2、H2S和O3氣體分子吸附於ZnGa2O4(111)表面模型真空能階 |
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第一原理研究O3吸附於ZnGa2O4(111)表面之功函數變化用於氣體感測器 |
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第一原理計算對於高阻值與低阻值4H-SiC晶體摻雜元素研究 |
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高功率磁控脈衝濺鍍沉積之Cu/W與Cu/Cr多層薄膜製程，厚度比例等因子對殘餘應力之影響 |
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磁控濺鍍法製備ZrCuTi金屬玻璃薄膜在不同功率下微結構與機械性質之變化 |
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基於稀土的 RXVZ 哈斯勒化合物作為純自旋極化電流源：從頭算的理論研究（R = Yb、Lu；X = Fe、Co、Ni；Z = Si、Ge、Sn） |
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利用材料基因方法結合自動化工作流程構建並預測異質結構數據資料庫 |
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使用第一原理理論計算在稀土基四元哈斯勒合金中尋找磁性材料：以RXCrZ (R = Lu, Yb; X = Fe, Co, Ni; Z = Si, Ge, Sn)為例 |
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HIPIMS製程中脈衝偏壓對提升二元及三元鈦系與鉻系氮化物機械性質之研究 |
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點雲分類中的簡易有效架構 |
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