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研究生:蔡旻倪
研究生(外文):Min-Ni Tsai
論文名稱:異質接面雙極性電晶體VBIC模型建立及其功率特性模擬
論文名稱(外文):Heterojunction Bipolar Transistor VBIC Model Establish and Power simulation
指導教授:綦振瀛
指導教授(外文):Jen-inn Chyi
學位類別:碩士
校院名稱:國立中央大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2003
畢業學年度:91
語文別:中文
論文頁數:55
中文關鍵詞:異質接面雙極性電晶體功率特性
外文關鍵詞:VBIC modelHBTVBIC modelHBT
相關次數:
  • 被引用被引用:5
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本論文主要是針對異質結構雙載子電晶體建立其VBIC model。
在大訊號模型建立上,我們利用ICCAP量測系統量測所需要的圖形如:順向gummel-plot、逆向gummel-plot、共射極直流輸出特性曲線…等;在接面電容量測上,將8510當作一個C-V量測系統;在小訊號S-參數模型建立上,同樣利用8510向量網路分析儀來量測S-參數。
在量測完所需要的圖形之後,利用ADS模擬軟體將模型參數萃取出來,並建立出完整的VBIC model,利用該模型模擬元件包括直流、交流…等特性,確認模型參數是否正確、元件在線性特性上的表現為何…等。 此外,模擬亦包括了自我加熱效應的部分。
其次,分別量測元件在不同溫度下的直流工作情形,建立出VBIC model中關於溫度的相關參數,目的是為了使得該元件不論是在何種溫度操作下,都能保持其模型穩定性,不會有誤差產生。
最後,利用負載-拉移量測找出元件最大輸出功率點為何,並進而量測出在不同輸入功率下所對應的輸出功率,並得到元件的功率增益及功率附加效率,以得知元件在功率特性的表現為何。 接著再利用所建立的VBIC model做關於功率特性方面的模擬,以得知大訊號模型是否能正確模擬元件的非線性特性。 在量測與模擬上,皆包含了固定偏壓與不同偏壓的部分。
第一章 導論
第二章 VBIC Model電流分析
2.1 VBIC model等效電路介紹
2.2 VBIC model直流方程式
2.3 討論
第三章 VBIC model參數萃取
3.1 寄生電阻參數萃取
3.1.1 射極端寄生電阻值量測與萃取
3.1.2 集極端寄生電阻值量測與萃取
3.1.3 基極端寄生電阻值量測與萃取
3.2 直流參數量測與萃取
3.2.1 順向Gummel-plot 參數萃取
3.2.2 逆向Gummel-plot 參數萃取
3.3 共射極直流輸出特性曲線參數萃取
3.3.1 未考慮自我加熱效應
3.3.2 考慮自我加熱效應
3.4 接面電容參數萃取與量測
3.5 傳輸時間參數萃取
3.6 大訊號模型建立與參數確認
第四章 VBIC model 量測與模擬結果
4.1 量測設定
4.2 測試片量測與模擬結果
4.2.1 直流量測與模擬結果
4.2.2 S-參數量測與模擬結果
4.2.3 截止頻率模擬結果
4.3 討論
第五章 溫度參數萃取與模擬
5.1 溫度參數對HBT模型的影響
5.2 VBIC model溫度參數關係式
5.3 元件不同溫度點量測與模擬結果
5.4 討論
第六章 功率特性量測與模擬
6.1 移位-負載(Load-Pull)量測
6.2 輸入功率與輸出功率關係之模擬
6.3 直流偏壓點選擇
6.4 功率特性量測與模擬結果
6.5 不同偏壓點功率特性量測與模擬結果
6.6 討論
第七章 結論
附錄A: VBIC model參數表示法及其物理意義
附錄B: VBIC model與Gummel-Poon model電流表示法比較
附錄C: VBIC model參數值
參考資料
參 考 資 料
[1] Colin McAndrew, et al. ”VBIC95:An Important Vertical, IC Bipolar Transistor Model” IEEE BCTM 1995
[2] Colin McAndrew, et al. ”VBIC95,The Vertical Bipolar Inter-Company Model” IEEE Journal of Solid-State Circuit Vol.31 no.10 Oct 1996
[3] Adam DiVergilio, Peter Zampardi, and Kim Newton“VBIC:A New Standard in Advanced Bipolar Modeling”IBM Microelectronics Fourth Quarter 1999
[4] Q.M.Zhang, Huntao Hu, John Sitch, R.K.Surridge, and Jimmy M.Xu,“A New Large Signal HBT Model”IEEE trans. MTT. Vol.44 no.11 Nov. 1996
[5] Akhil Garlapati, Student Member, IEEE, and Sheila Prasad, Senior Member “A Unified Model for Single/Multi finger HBTs Including Self-Heating Effects”IEEE trans. MTT. Vol.49 no.1 Jan. 2001
[6] Yu Zhu, et al. “Self-Heating Effect Compensational HBTs and Its Analysis and Simulation”IEEE TED. Vol.48 no11 Nov.2001
[7] 朱昌榮 ”異質接面雙極性電晶體之等效電路模型建立與其在射頻電路之應用”碩士論文, 國立中央大學, 民國88年
[8] Xiaochong Cao, J. McMacken, K. stile, P. Layman, Juin J. Liou, Adelmo Ortiz-Conde, senior Member, IEEE, and S. Moinian “Comparison of the New VBIC and Conventional Gummel-Poon Bipolar Transistor Models” IEEE trans. on Electron Devices, vol.47 no.2 Feb. 2000
[9] X. Cao, J. McMacken, K. stile, P. Layman, J. J. Liou, A. Sun, and S. Moinian “Parameter Extraction and Optimization for New Industry Standard VBIC Model”ASDAM’98,2nd International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, Smolenice Catsle, Slovakia, 5-7 Oct 1998
[10] Morten Olavsbråten “A Practical Method of Parameter Extraction for the VBIC Model used on GaAs HBT”GAAS2000 Conference Proceeding
[11] Morten Olavsbråten ”Parameter Extraction and Evalution of the Bias Dependence of Tf, for the VBIC Model used on GaAs HBT” GAAS2001 Conference Proceeding
[12] Steve P. Marsh, Senior Member, IEEE “Direct Extraction Technique to Derive the Junction Temperature of HBT’s Under High Self-Heating Bias Condiction” IEEE TED, vol.47 no.2 Feb 2000
[13] Marcel Tutt, Motorola DigitalDNA Lab. “GaAs Based HBT Large Signal Modeling Using VBIC for Linear Power Amplifier Applications” IEEE BCTM3.2
[14] S.V.Cherepko, J.C.M.Hwang “VBIC Model Applicability and Extraction Procedure for InGaP/GaAs HBT” Proceeding for APMC2001, Taipei
[15] W.J.Kloosterman “Comparison of Mextram and the Vbic95 bipolar transistor model” Philips Electronics N.V. 1996
[16] IC-CAP Toolkit for VBIC
[17] IC-CAP 2001 High Frequency Model Tutorials
[18] IC-CAP 2001 Nonlinear Device Models
[19] Diploma Thesis “Modeling the Heterojunction Bipolar Transistor with VBIC” Jan. 2000
[20] Sergey Cherepko and James Hwang ”Model Extraction Procedure for InGaP/GaAs HBTs”
[21] J.J. Liou and J.S. Yuan“Physical-based lrge—signal heterojunction bipolar transistor model circuit simulation”IEE Proceedings-G, vol.138 no.1 Feb. 1991
[22] Apostolos Samelis and Dimitris Pavlids“Analysis of the Large-Signal Characteristics of Power Heterojunction Bipolar Transistors Exhibiting Self-Heating Effects”IEEE trans. on MTT, vol.45 no.4 April 1997
QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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