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研究生:林韋雯
研究生(外文):Wei-Wen Lin
論文名稱:以專利分析探究3D IC關鍵技術TSV之發展
論文名稱(外文):A Patent Analysis for Exploring TSV Technology Development of 3D IC
指導教授:張嘉華
指導教授(外文):Chia-Hua Chang
學位類別:碩士
校院名稱:南台科技大學
系所名稱:工業管理研究所
學門:商業及管理學門
學類:其他商業及管理學類
論文種類:學術論文
論文出版年:100
畢業學年度:99
語文別:中文
論文頁數:50
中文關鍵詞:三維積體電路矽穿孔專利分析
外文關鍵詞:3D ICTSVPatent AnalysisPatent Guider
相關次數:
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摘 要
立體堆疊積體電路(3D IC)為半導體產業中要積極發展之重要技術,現今因電子產品高效能、低耗電、高I/O觸腳與高互連密度之需求漸增,而使得業界積極應用矽穿孔技術(TSV)來形成晶片的立體堆疊結構,於是TSV成了3D IC的關鍵技術。因此,本研究將以專利的角度,來探討並了解目前市場上應用TSV之概況,首先蒐集TSV相關製程,篩選關鍵字群來組成專利搜尋關鍵字,並運用專利軟體Patent Guider產生對應的專利管理圖、表,其中包含技術生命週期圖、歷年專利數量圖、國家別分析圖、表、公司別分析圖、表、引證率分析圖、IPC分類圖,藉由分析之結果可以看出,目前市場在TSV技術的發展上,仍有很大的成長空間,從技術生命週期圖就可明顯看出TSV專利數,呈現萌芽至成長期的狀態,也從每年產出的專利筆數快速增加,顯示出TSV技術相關專利亦快速地持續發展中,本研究之專利搜尋資料,可提供目前與未來投入TSV研發的廠商作為技術發展藍圖制定的參考。

關鍵字:三維積體電路 、矽穿孔、專利分析、Patent Guider
Abstract
The concept of Three Dimensional Integrated Circuits (3D ICs) has now been considered critical in the semiconductor industry. The increasing demands of high performance, low power consumption, high I/O footprints and high interconnect densities, result the requirement of applying the technology of Through Silicon Via (TSV) to form this kind of vertical stacking structure. As for that, TSV is regarded as the critical technology of 3D IC. Therefore, this thesis employed the patent analysis to explore the development of TSV application in order to understand current 3D IC market. The relative processes of TSV were collected and organized to form a keywords group, which was then utilized as searching keywords. A patent analyzing software, Patent Guider, was also employed to generate the corresponding managerial charts, which includes Technology Life Cycle Chart, Over the Years of Patents Number Chart, Country Analysis Chart, Company Analysis Chart, Citation Rate Analysis Chart, and IPC Classify Chart. The analyzed results show the development of TSV in current market is still underway. The Technology Life Cycle Chart shows the numbers of TSV relative patents are still at the stages between germination and growth. The rapid growing of annual patents also reveals the aggressive of TSV relative development in the current semiconductor ecosystem. The results of this thesis could be a reference for developing technology roadmaps of applying TSV.
Key words:3D IC、TSV、Patent Analysis、Patent Guider
目 錄
摘 要 i
Abstract ii
誌 謝 iii
目 錄 iv
表目錄 vi
圖目錄 vii
第一章 緒論 1
1.1 研究背景與動機 1
1.2 研究目的 2
1.3 研究限制 2
1.4 研究架構 3
1.5 小結 4
第二章 文獻探討 5
2.1 三維積體電路(3D IC) 5
2.2 3D IC關鍵技術TSV 7
2.3 專利所有權 8
2.4 專利分析 10
2.5 專利管理圖、表 15
2.6 專利分析相關研究探討 15
2.7 小結 17
第三章 研究方法 18
3.1 蒐集TSV製程相關技術 18
3.2 建構TSV製程關鍵字群 18
3.3 使用關鍵字詞進行專利分析 22
3.4 產出專利圖、表 24
3.4.1 專利圖、表類別 24
3.4.2 應用技術生命週期圖分析技術成熟度 25
3.4.3 應用歷年專利公告申請圖分析技術發展動向 26
3.4.4 應用國家別分析圖分析各國技術投入 27
3.4.5 應用公司別分析圖分析研發特性 27
3.4.6 應用公司引證率分析表分析專利獨立性 28
3.4.7 應用IPC分類分析技術類別 28
3.5 小結 29
第四章 研究結果 30
4.1 專利搜尋範圍設定 30
4.2 專利關鍵字搜尋結果 31
4.2.1 技術生命週期圖看出技術成熟度 32
4.2.2 專利件數歷年趨勢概況分析 33
4.2.3 國家別件數分析比較 34
4.2.4 申請權人研發強度比較 36
4.2.5 分野年看申請權人之變化 39
4.2.6 IPC碼相關分類定義說明 41
4.3 小結 44
第五章 結論與建議 45
5.1 結論 45
5.2 未來研究建議 46
參考文獻 47
參考文獻
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網站:
1.唐經洲 (2009)。 http://www.cse.yzu.edu.tw/images/seminar/3D%20IC.pdf
2.Steve Lerner (2008),Alchimer的TSV技術可降低50%總持有成本。半導體科技http://ssttpro.acesuppliers.com/semiconductor/Magazine_Details_Index_Id_1286.html
3.USPTO。http://patents.uspto.gov/
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