現今半導體元件設計漸趨次微米的領域，二維數值模擬是必須的分析工具。一使用
全新而一般化的高濃度雜質攙入半導體模型公式已被開發完成二維數值模擬砷化鎵
場效電晶體高濃度攙入效應的程式，使用彼二維數值模擬程式分析元件的高濃度雜
質攙入效應。
我們使用一自洽而一致的模型以描述載子濃度分布、靜電位方程式、傳導方程式、
連續方程式。此模型允許簡潔而方便的處理高濃度雜質攙入效應的上述公式。高濃
度雜質攙入效應包括實際能隙窄縮和Fermi-Dirac 統計的影響。這些效應使用兩個
能帶模型的參數：有效的能隙窄縮 △Ｅg、非對稱因子Ａ。
考慮高濃度雜質攙入效應二維數值模擬的結果顯示內建電位增加 (build-voltage)
、電流電壓關係曲線減少(I-V curves)、(Ｇm) 互導減少、(ＶT) 臨界電壓增加。
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