三元的AlGaAs（砷化鎵鋁）與GaAs（砷化鎵）具匹配之格子常數且均為重要之光電與
高速元件材料，而MOCVD （有機金屬氣相法）為一具低缺陷與精密控制之磊晶成長技
術，本研究目的在探討以MOCVD 法成長GaAs與AlGaAs其缺陷與成長條件之關係。
高溫成長之GaAs，其載子移動率較趨近理論質，而具高品質之磊晶層，DLTS觀察中，
發現EL２（Ec－０．８１ev）之能階，此能階在AlGaAs磊晶中也存在，因其載子捕抓
截面積隨鋁組成增加，所以EL２之DLTS訊號出現位置，隨鋁組成比提高而往較高溫區
移位。
Se滲雜之砷化鎵鋁（X＞０．２） ，DX（Ec－０．１１ev至Ec－０．２３ev）為主要
缺陷能階，且有追隨L 能帶現象，在成長溫度，鋁組成比，Ⅴ／Ⅲ族莫爾比諸參數中
，以鋁組成比為DX缺陷出現之主因，同時在DX訊號出現前，有一類似電洞缺陷產生，
此現象主受DX缺陷在低溫時，其捕抓載子截面積小，及熱放射述率慢等所致。
鋅滲雜之AlGaAs有Ev＋０．７４ev能階存在，此缺陷湛度隨成長溫度提高而遞減，此
缺陷成因，在於成長環境中存在著深能階受體雜質，同時在PL中，發現於１．７７ev
有光譜出現，離導電帶８６mev ，由於它並未出現在N 型磊晶層中可能是鋅及矽雜質
形成施體一受體匹配（Donor－Acceptor pair）所放出之光譜。
總之，缺陷能階與MOCVD 成長條件有個初步了解與控制。
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