目前高崩潰電壓之功率電晶體通常是用蝕刻及玻璃被覆之技術。雖然，此種技術，綜
合所有之成本及特性而言是不錯，但由於其容易產生晶片破裂及無法做成積體電路以
致於漸漸的將被平面技術所取代了。
我們都知道，平面技術所做出來的界面會有曲率應之現象發生。然而此種曲率效應卻
會造成電場的過份集中而減低本身之崩潰電壓。所以我們即用此種浮動電場限制環之
方式來改善其崩潰電壓。它的原理即在使得表面之空泛區域延伸以減緩曲率效應的影
響，藉以降低電場增加崩潰電壓。此種方法有下列二點好處：
（一）它能做出較淺的擴散深度，較高的崩潰電壓以及高速度轉換電晶體。
（二）它的製程與目前積體電路製程完全匹配，可以因應未來積體化之趨勢。
目前有關此種方式的文章，並未有一維模型之分析，本論文即發展出一套完整的一維
模型及理論與數值分析之二維模型比較誤差少於百分之五，而且實驗與理論亦相當配
合。
|