硼磷玻璃（BPSG）在半導體工業上主要是用在三微米以下金氧半導體（MOS ）製程作
矽閘與金屬層間的絕緣層。它取代了過去在三微米以上矽閘製程所習用的磷玻璃技術
。使IC製造技術得以向微米，次微米前途。硼磷玻璃技術主要包括沈積、流整、蝕刻
、再流整等部分。其中又以前二者最為重要，因為若無法沈積出可以流整到所需要求
的絕緣層，則一切均屬空談。是以本研究之重點乃在找出硼磷玻璃中最佳硼磷含量範
圍以及最恰當的流整溫度。
由於硼磷玻璃基礎研究方面在十餘年前即已開始了，參考資料甚多，本文並不擬重覆
而據以參考以縮小實驗範圍。根據經驗由不同的設備所製作出來的硼磷玻璃的性質差
異甚大。因此工業界對於一台新的設備在用來作大量生產之前必須對它的性能先予以
測定，以判斷其是否適用。本文研究的對象乃是一部最先進的大氣氣相沈積儀所製作
出來的硼磷玻璃的性質。研究重點包括⑴硼磷玻璃流整處理前後的內應力變化，⑵沈
積厚度的均勻性及其水平方向與垂直方向的覆蓋均勻性，⑶流整處理後的流整角在不
同複晶矽線寬時的範圍，⑷流整處理後硼磷玻璃表面的平滑度，⑸不同的流整溫度處
理後流整角的變化。
文中第一章簡述硼磷玻璃之發展硼磷玻璃、應用及絕緣層之特性以及漢土製程技術。
第二章則介紹實驗設備、使用材料、實驗步驟和實驗內容。第三章則討論實驗數據，
作圖以判斷最佳條件。以本章結論中歸結出最佳流整條件為⑴流整溫度87.5℃乾氧及
氮氣環境30分鐘⑵硼含量3.0 ±0.4 wt％，⑶磷含量5.2 ±0.5 wt％。第四章為本實
驗作重點檢討。最後附上本研究中所引用的參考資料，圖，表，及實驗中所得到的數
據及圖，SEM 照片以結束本文。
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