臺灣博碩士論文加值系統

由於半導體產業的發展迅速，使得積體電路製程往較小的線寬來進行，以增強積體電路弁遄A且降低其單位使用的成本。晶圓製程中的每一個步驟，包括蝕刻、氧化、沈積、去光阻、以及化學機械平坦化(CMP)，均會造成晶圓(wafer)表面污染的來源，所以需要反覆的清洗。而單元元件尺寸及閘極氧化層厚度( gate oxide thickness) 不斷的縮小，對晶圓表面的潔淨而言更是要求相當嚴苛。
而晶圓表面潔淨的目的主要在於去除及清洗所有的微小量之污染物(如有機物、微粒子、金屬⋯等)，並且要控制表面形成的薄氧化膜( thin oxide )。
目前在業界中之晶圓清洗技術大致可分為濕式與乾式兩大類，仍以濕式清洗法為主流。本文將以濕式清洗法過程中超音波震盪器之監控為研究方向。
所謂濕式化學清洗(wet chemical cleaning)技術，是利用液態狀之酸鹼溶劑、界面活性劑(surfactants )與去離子水(DI water)之混合產生水柱來清洗晶圓表面，隨後加以潤濕再乾燥的程序。
在混合去離子水進行洗滌中並利用與超音波震盪(megasonic)結合，藉以達到高品質的清洗結果而水柱強度與晶圓生產良率有直接且密切的關係。

誌 謝 i
摘 要 ii
Abstract iv
圖目錄 vii
表目錄 x
第一章、導論 1
1.1 何謂Wet Process: 3
1.2 濕式化學洗淨簡介: 6
1.3 晶圓清洗之目的: 9
第二章、洗淨機之震盪器介紹 12
2.1.百萬赫次超音波(Megasonic)清洗原理: 12
2.2百萬赫次超音波(Megasonic)之運用: 13
2.3機台之超音波震盪器: 14
2.3.1超音波震盪槽: 15
2.3.2超音波震盪產生器: 16
第三章、虛擬圖控(LabView) 應用介紹 19
虛擬圖控之介紹: 19
3.1人機介面(front panel): 19
3.2 程式方塊圖(block diagram): 20
3.3 圖示及連結器(icon and connector): 22
3.4 LabVIEW和cFP的組合與清洗機之運用 23
3.4.1 資料夾之建立與儲存: 25
3.4.2 Labview cFP相關配件 27
第四章、先進製程控制(APC)應用介紹 30
4.1何謂是APC: 30
4.2 運作中之APC之架構: 33
4.2.1 APC 運作流程: 35
4.2.2 APC之目的: 36
4.3 運作中之APC之應用狀態: 37
4.4 即時監控系統(RTTC): 38
第五章、監控系統實際應用 42
5.1 目的與效益: 42
5.1.1 目的: 42
5.1.2 效益: 42
5.2 NI相關設備: 42
5.3 結果與討論: 48
5.3.1 結果: 48
5.3.2 討論: 52
參考文獻 55

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