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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:李國忠
研究生(外文):Li, Guo-Zhong
論文名稱:電荷耦合元件製程研究
指導教授:胡振國胡振國引用關係
指導教授(外文):Hu, Zhen-Guo
學位類別:碩士
校院名稱:國立臺灣大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1993
畢業學年度:81
語文別:中文
論文頁數:78
中文關鍵詞:電荷耦合元件製程電機工程
外文關鍵詞:ELECTRICAL-ENGINEERING
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第一章 簡介
第二章 元件之工作原理
2-1 表面電位及位能井
2-2 電荷之限制
2-3 電荷之傳輸
2-4 電荷之輸入、輸出
第三章 電荷耦合元件製作
3-1 陰影蝕刻技作
3-2 光罩設計及製程
3-3 光罩討論
第四章 P-N 接面漏電流,電容電壓特性
及金氧半場效電晶電之輻射效應
4-1 P-N 接面漏電流之討論
4-2 電容電壓特性曲線討論
4-3 金氧半場效電晶體之Id-Vg 曲線討論
第五章 時脈電路及特性
5-1 電路方塊圖解說
5-2 輸入輸出電路
5-3 電路改良討論
第六章 含氮氧化矽閘極之CCD 量測結果
6-1 未打輻射前之CCD 量測
6-2 未打輻射後之CCD 量測
6-3 經退火處理及再打輻射後之CCD 量測
6-4 結論
第七章 總結
參考文獻

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