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碳類鑽薄膜是一種應用廣泛的材料,本研究利用excimer(308 nm)脈衝雷射 蒸鍍系統(固態物理氣相沉積法),和微波(2.45 GHz)電漿化學氣相沉積系 統(化學反應氣相沉積法),兩種不同真空鍍膜系統方式,在n型矽基板和鉬 基板上沉積鍍膜,其中矽基材上用微細加工蝕刻法,微影蝕刻成許多U型小 槽洞,並鍍上碳類鑽膜,以探討碳類鑽膜材料的品質,和找出最佳的鍍膜製 程條件,並以拉曼光譜儀,掃瞄式電子顯微鏡,電子光譜化學分析儀,評估碳 類鑽膜的品質,表面微結構構,表面化學元素分析等特性,和量測在高真空 底下,薄膜電特性曲線,最後應用在研製最好條件品質的碳類鑽膜,沉積鍍 膜在微針尖場發射陣列,發射模組元件表面上的材料與製程探討.
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