在半導體物理的領域內，晶體缺陷或是雜質特性的研究，一直是很重要的工作，十幾
年來，人們研究發現，我們可以利用氫原子的摻雜（簡稱加氫法）有效地改進半導體
的光學和電學特性，事實上，加氫法已經被廣汎地應用於探討各種半導體的物厘性質
，近年來正蓬勃發展的能帶工程所使用的各種的薄層半導體，遭遇到的許多有關於晶
體缺陷的重大問，可以使用加氫法加以改善。
本文探討氫原子對於半導體電學特性的影響，我們使用自行研發的紫外光激發化，學
氣相沉積系統，將氫原子摻入InP/GaAs異質結構半導體之中，利用電流－電壓和電容
－電壓電學特性的測量，分析加氫對於材料的影響，另外，也使用深能階暫態能譜儀
(DLTS)測量由雜質或晶體缺陷造成的深能階的濃度變化，我們發現：加入氫原子之後
，材料的深能階的濃度降低，此外，材料的逆向崩潰電壓提高為加氫之前的1.7 倍，
而，且硝基勢壘增加0.05電子伏特，還，有自由載子的數目也明顯地減少，由這些結
果可以推知，紫外光激發化學氣相沉積加氫法，能夠有效地提高InP/GaAs異質結構半
導體的品質。
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