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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:田志豪
研究生(外文):TIAN, ZHI-HAO
論文名稱:分子束磊晶成長三五族半導體量子井的穿透電流研究
指導教授:呂助增
指導教授(外文):LU, ZHU-ZENG
學位類別:碩士
校院名稱:國立清華大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1989
畢業學年度:77
語文別:中文
中文關鍵詞:分子束磊晶三五族半導體量子井電子多層位能障共振穿透效應
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本篇論文的主要內容是討論多層位能障量子井中電子的共振穿透效應,分為兩個部分
:(1)假設所加的電壓是均勻分佈,以Airy函數近似電子波函數而解得其穿透係數
,然後將穿透係數代入計算電流的公式,便可得到電子的穿透電流。在計算過程中,
同時假設電子平行入射方向之能量是維持不變。由於這個緣故,我們稱此穿透過程為
彈性穿透。(2)考慮電子與極性光聲子之間的散射作用,利用一個類似 Breit-Wi-
gner散射公式,假設散射位能具有一個虛數部份(由電子與光聲子之間的交互作用決
定),我們計算出散射過程對電子穿透運動的影響。
經過電腦數值分析計算的結果,我們可以歸納出以下幾點結論:(1)共振能量出現
在類束縛能態的附近,而且一一對應。(2)共振能量發生的位置受偏壓,位能井之
寬度及位能障之高度影響較大,而半極值能寬則深受位能障之寬度影響,位能障之寬
度越寬,則表示為位能井中的類束縛能階藕合的情形越小,而穿透係數的半極值能寬
也越窄。(3)左右對稱性越高,則量子井的穿透係數極值越大。(4)以多層能障
結構取代較厚的能障時,低入射能量範圍的穿透係數明顯的增大而半極值能寬幾乎不
變。(5)考慮光聲子的影響時,穿透係數極大值的半寬度會隨之變寬,同時極大值
的大小也會變小,這種影響在寬的能障結構中較為明顯。而電子與光聲子之間的交互
作用是隨著溫度上升或是入射電子能量的增加而遞增。

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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