臺灣博碩士論文加值系統

本研究以溶膠凝膠法開發磷玻璃溶液做為磷擴散源，經旋轉塗佈於Textured單晶矽晶圓並高溫退火成功形成pn接面。以此方式製作太陽電池，於標準AM 1.5光源下，雖不具抗反射膜，但轉換效率可達9.93%。此外為了大幅減少製程成本與時間，本研究另開發利用電子級磷酸為n+擴散源，經塗佈於Textured單晶矽晶圓並高溫退火成功形成pn接面，並搭配反應式磁控濺鍍機濺鍍SiNx：H抗反射膜，可使可見光範圍平均反射率達3.65%，以此之製作太陽電池，於標準AM 1.5光源下，轉換效率可達10.41%。

We use Sol-gel method to develop PSG solution which will be the Phosphorus diffuse source, and coat it on single crystalline silicon wafer by spin-coating method; therefore, a p-n junction is in silicon wafer by high temperature annealing. Using the same method to make solar cell, though it is no anti-reflection coating, the conversion efficiency is 9.93%.Therefore, in order to reduce a lot of fabrication cost and time. We use phosphoric acid which will be the Phosphorus diffuse source, and coat it on single crystalline silicon wafer by Dip Coating method. Therefore, a p-n junction is in silicon wafer by high temperature annealing. Using the same method and SiNx：H anti-reflection film to make solar cell, The average reflectivity of visible light range is 3.65%. The conversion efficiency of the solar cell is 10.41%.

第一章 緒論
1-1 前言................................................................. ﹝1﹞
1-2 太陽電池原理......................................................... ﹝5﹞
1-3 研究目標............................................................. ﹝9﹞
1-4 論文流程............................................................. ﹝11﹞
第二章 矽晶抗反射技術開發
2-1 前言................................................................. ﹝12﹞
2-2 抗反射技術原理....................................................... ﹝13﹞
2-2.1 矽晶抗反射結構原理................................................. ﹝13﹞
2-2.2 抗反射膜原理....................................................... ﹝14﹞
2-3 研究方法............................................................. ﹝16﹞
2-3.1 矽晶TMAH異方性蝕刻................................................. ﹝16﹞
2-3.2 抗反射膜沉積....................................................... ﹝17﹞
2-4 實驗結果與討論....................................................... ﹝19﹞
2-4.1 矽晶表面微結構分析................................................. ﹝19﹞
2-4.2 矽晶抗反射率分析................................................... ﹝20﹞
2-4.3 抗反射膜之缺陷密度分析............................................. ﹝21﹞
2-4.3.1 SiNx抗反射膜特性分析............................................. ﹝21﹞
2-4.3.2 SiNx：H抗反射膜特性分析.......................................... ﹝26﹞
2-5 本章結論............................................................. ﹝29﹞
第三章 太陽能電池製作
3-1 前言................................................................. ﹝31﹞
3-2 磷玻璃溶膠凝膠法製作磷擴散........................................... ﹝31﹞
3-2.1 太陽電池製作....................................................... ﹝31﹞
3-2.2 太陽電池特性分析................................................... ﹝34﹞
3-2.2.1 太陽電池之擴散溫度依存性......................................... ﹝34﹞
3-2.2.2 線鋸切割缺陷對太陽電池特性之影響................................. ﹝38﹞
3-3 電子級磷酸溶液製作磷擴散源........................................... ﹝42﹞
3-3.1 太陽電池製作....................................................... ﹝42﹞
3-3.2 太陽電池特性分析................................................... ﹝45﹞
3-3.2.1 擴散溫度與時間對n+片電阻值之影響................................. ﹝45﹞
3-3.2.2 銀鋁燒結時間對太陽電池特性之影響................................. ﹝46﹞
3-3.2.3 SiNx：H抗反射膜其對於太陽電池特性之影響.......................... ﹝48﹞
3-4 本章結論............................................................. ﹝52﹞
第四章 結論.............................................................. ﹝53﹞
參考文獻................................................................. ﹝54﹞

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