跳到主要內容

臺灣博碩士論文加值系統

(216.73.217.131) 您好!臺灣時間:2026/06/14 10:52
字體大小: 字級放大   字級縮小   預設字形  
回查詢結果 :::

詳目顯示

我願授權國圖
: 
twitterline
研究生:楊棟財
研究生(外文):YANG TUNG TSAI
論文名稱:以TLP、HBM、MM量測儀器分析藍光LED抗ESD能力之研究
論文名稱(外文):A Study on the Ability to Protect ESD Event of Blue-Light LED form TLP HBM MM Measurement
指導教授:許崇宜、陳勛祥
學位類別:碩士
校院名稱:大葉大學
系所名稱:電機工程學系碩士在職專班
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2005
畢業學年度:93
語文別:中文
論文頁數:71
中文關鍵詞:靜電放電(Electrostatic DischargeESD)傳輸線觸波產生器(Transmission Line PulseTLP)人體模型(Human Body ModelHBM)機器模型(Machine ModelMM)。
外文關鍵詞:Electrostatic Discharge (ESD)Transmission Line Pulse (TLP)Human Body Model (HBM)Machine Model (MM). Light emitted diode (L
相關次數:
  • 被引用被引用:0
  • 點閱點閱:1295
  • 評分評分:
  • 下載下載:0
  • 收藏至我的研究室書目清單書目收藏:1
本文將探討以TLP、HBM、MM量測儀器分析藍光LED抗ESD能力之研究,並針對其故障模式做分析,最後提供一些因應對策。氮化鎵(GaN)和碳化矽(Sic)等化合物半導體是目前藍光發光二極體(Light emitting diode,LED)及藍光雷射二極體(Laser diode,LD)最具開發價值的族群,但是在製造後卻也面臨許多的挑戰,其中對靜電放電(ESD)非常敏感,也就是說其LED在TLP、HBM、MM之 ESD模式下逆偏通常只有非常低的抗ESD能力。本文以藍光LED對TLP、HBM、MM等測試作為對照,用來驗證ESD的結果是否符合以理論所推導出的TLP、HBM、MM關係,也利用光學顯微鏡,進行失效位置的觀察分析。在這些改善ESD製程中探討LED之ESD問題進而影響到藍光LED的ESD破壞成為遭受ESD破壞的來源造成元件的故障。所以靜電放電(Electrostatic Discharge, ESD)在電子產品良率及可靠度上扮演相當重要的角色。目前為了防護ESD對元件或IC的破壞,第一是提升元件本身對ESD防護的能力,也就是ESD保護元件及電路的設計。第二是加強製造、封裝、測試、組裝、及運輸等環境的靜電放電防制,減少靜電源的產生,此類相關ESDC文件規範可參考ESD Association Standard ANSI/ESD S20.20-1999。
The ability to resist the electrostatic discharge (ESD) of blue-light LED (Light emitting diode) is studied in this thesis. The ESD stress is performed with TLP、HBM and MM. Some solutions to increase the endurance of ESD are present in the last.
At present, Gallium Nitride (GaN) and Silicon Carbide (SiC) are the two major groups to fabricate blue-light LED. But, there still have a lot of problems to overcome after manufacture. One of them is that it is very sensitive to ESD events, that is, the ability to resist ESD is very low under reverse bias mode. In this thesis, these ESD stresses are performed by TLP, HBM, and MM. The results are used to verify ESD ability according to the theory of TLP, HBM, MM. The optics microscope is uses to observe and analysis of the failure position. Now, in order to protect the component from ESD stress, at first, we have to improve the ability to resist ESD. second, strengthen manufacture, encapsulation, test, assembly, and reduce the production of the static source.
目錄

封面內頁
簽名頁
授權書.........................iii
中文摘要........................iv
英文摘要........................v
誌謝..........................vi
目錄..........................vii
圖目錄........................x
表目錄........................xii

第一章 緒論......................1
1.1前言.....................1
1.2論文架構...................2
第二章 LED原理與結構................. 3
2.1 LED原理..................3
2.1.1元件構造與發光特性...........4
2.1.2結晶成長技術..............5
2.1.3 LED應用................5
2.1.4技術內容重點..............6
2.1.5氮化銦鎵/氮化鎵藍光二極體之製程....6
2.2 LED之光譜波長實驗目的...........7
2.3 實驗硬體與軟體設備.............7
2.4 實驗原理..................7
2.5 實驗步驟..................10
2.6 LED原理與優點...............11
2.7 LED光譜量測實驗結果............16
第三章 靜電放電(ESD)模式及測試............17
3.1 靜電的成因.................17
3.2 靜電放電破壞機制..............17
3.2.1人體放電模式( HBM) ..........17
3.2.2機器放電模式( MM) ..........19
3.2.3元件充電模式( CDM) ..........21
3.2.4電場感應模式( FIM) ..........22
3.3 三種ESD模式之破壞機制..........22
3.4 靜電放電測試組合..............23
3.5 靜電放電故障判斷..............24
3.6 靜電放電保護的元件.............25
3.7 靜電放電測試的主要領下列三項........25
3.8 靜電放電防制之工作.............25
3.9 HBM、MM量測機台.............27
第四章 TLP原理與測試.................28
4.1 傳輸線觸波(TLP)原理............28
4.2 ATLP系統簡介................32
第五章 實驗結果與討論.................34
5.1 實驗方法..................34

5.1.1以TLP量測儀器分析藍光LED測試方面..34
5.1.2在HBM,MM測試方面.........34
5.1.3靜電放電故障判斷...........35
5.2 操作介面之介紹與使用............35
5.2.1使用考量...............35
5.2.2 ATLP4282系統之操作介面介紹......36
5.3 實驗結果..................40
第六章 結論......................56
參考文獻........................58
圖目錄

圖2-1藍光LED結構圖..................4
圖2-2 LED光譜分析量測實驗方塊圖............8
圖2-3光譜分析量測實驗前端...............9
圖2-4光柵光譜儀內部結構圖...............9
圖2-5發光二極體....................12
圖2-6發光二極體PN接面圖...............12
圖2-7 LED顏色、波長、能隙、材料分佈圖.........14
圖2-8高亮度藍光LED與一般LED光譜圖.........15
圖2-9 測藍光LED打HBM(PS)情形............16
圖2-10 測藍光LED打HBM(NS)情形...........16
圖2-11 測藍光LED打MM(PS)情形............16
圖2-12 測藍光LED打MM(NS)情形............16
圖3-1人體放電模型測試等效電路圖............18
圖3-2機器放電模型測試等效電路圖............20
圖3-3 HBM、MM、CDM波形比較............23
圖3-4 HBM、MM量測機台...............27
圖4-1 TLP原理與組裝.................29
圖4-2電壓/電流特性曲線................30
圖4-3 ATLP系統架設圖.................33
圖5-1碳膜電阻49.7Ω做系統校正.............36
圖5-2高壓元件分析儀..................41
圖5-3藍光LED順向電流電壓圖.............42
圖5-4碳膜電阻49.7Ω做系統校正接線圖..........42
圖5-5碳膜電阻49.7Ω做系統校正波形...........43
圖5-6藍光LED量測接線圖...............43
圖5-7藍光LED量測波形(未崩潰時) ...........44
圖5-8藍光LED量測波形(未崩潰時) ...........44
圖5-9藍光LED量測波形(崩潰時) ............45
圖5-10藍光LED量測波形(崩潰時) ............45
圖5-11藍光LED順偏時TLP量測.............46
圖5-12藍光LED順偏時TLP量測.............47
圖5-13藍光LED順偏時TLP量測.............48
圖5-14藍光LED逆偏時TLP量測.............49
圖5-15藍光LED逆偏時TLP量測.............50
圖5-16藍光LED逆偏時TLP量測.............51
圖5-17 HBM- PS....................52
圖5-18 HBM- NS....................52
圖5-19 MM- PS.....................53
圖5-20 MM-NS.....................53
圖5-21藍光LED之上視外觀圖..............54
圖5-22藍光LED電極結構示意圖.............55






表目錄

表2-1 LED分類與應用範圍...............14
表2-2 LED材料、磊晶技術、顏色、波長分佈情形......15
表2-3 測藍光LED打HBM光波強度情形.........16
表2-4 測藍光LED打MM光波強度情形..........16
表3-1 HBM波形標準值.................19
表3-2 MM波形標準值..................20
表3-3 MM波型標準值..................21
表5-1藍光LED做TLP、HBM、MM順偏與逆偏量測結果..40
參考文獻

[1]Robert A.Ashton, “Verification Structures for Transmission Line Pulse Measurements,” IEEE TEANS. SEMI MANU.,Vol.16,PP. 194-198,May2003.
[2]J.Barth,K.Verhaege, Leo G.. Henry and John Richner, “TLP Calibrations , Correlation ,Standards and New Techniques”, in proc. EOS/ESD Symp. ,pp.85-96,2000.
[3]C.H.Dfaz , T.E.Kopley, and P.J.Marcoux, “Building-in ESD/EOS reliability for Sub-Halfmicron CMOS Processes, “IEEE Trans. Electron Devices, vol. 43,pp.991-999,June1996
[4] MIL-STD-883E, Method 3015.7, 1989.
[5]OPTOELECTRONICS AND PHOTONICS Pnnciples and Practice S.O.Kasap
[6]Albert Z.Wang ,Chen H.Tsay and Qing W.Shan, “A Novel Dual-Direction IC ESD Protection Device” ,Proceedings of 7th IPFA’99 ,Singapore,pp151-155
[7]JEDC STANDARD JESD22-A114-B “Electroststic Discharge(ESD) Sensitivity Testing Human Body Model(HBM).” JEDEC SOLID
[8]JEDC STANDARD JESD22-A114-B “Electroststic Discharge(ESD) Sensitivity Testing Machine Model(MM).” JEDEC SOLID STSTE TECHNOLOGY ASSOCITION, June 2000STSTE TECHNOLOGY ASSOCITION, June 2000
[9]柯明道,陳東暘 “次微米互補式金氧半積體電路之靜電防護”.CCL TECHNICAL JOURMAL 9.5.,pp.85-96 1997.
[10]李文明, “ 功率MOS元件ESD破壞可靠性分析之研究”大葉大學,2000
[11]朱季齡, “ 功率MOS元件ESD保護電路設計之研究”大葉大學,2000
[12]黃致遠, “ 靜電放電保護電路設計與鎖效應防制之研究”大葉大學,2002
[13]工業技術研究院,“ ATLP System Model 4282 使用手冊”,2004
QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
第一頁 上一頁 下一頁 最後一頁 top
1. 13. 林世英,犯罪矯治人員和受刑人對司法與犯罪矯治之意識的比較研究,警政學報,第二十期,八十一年,頁一四九至一六八。
2. 59. 薛智仁,強制性交罪(刑法第二二一條第一項)修正之研究,刑事法雜誌,第四十四卷第一期,八十九年二月,頁八四至一一三。
3. 58. 賴擁連,「矯治無效論」後犯罪防治發展,警學叢刊,第三十三卷第二期,九十一年九月,頁一四五至一六一。
4. 56. 盧映潔,由德國社會治療(Sozialtherapie)論性犯罪者之處遇措施,成大法學,第四期,九十一年十二月,頁一二五至一七九。
5. 55. 盧映潔,一九九八年德國之「對抗性犯罪及其他危險犯罪法」論德國性犯罪之現況及其相關處遇措施,政大法學評論,第六十一期,八十八年六月,頁四五五至四七八。
6. 52. 劉豐州,簡評性侵害犯罪防治法,萬國法律,第九十九期,八十七年六月,頁十八至二二。
7. 51. 劉慶適,軍事監所有關情理法矯治工作之研究,憲兵學術季刊,第三十四期,八十五年八月,頁十至十六。
8. 50. 劉邦繡,對我國性侵害犯罪者處遇立法的探討 (下),法務通訊,第二○六六期,九十一年一月, 頁五。
9. 49. 劉邦繡,對我國性侵害犯罪者處遇立法的探討 (上),法務通訊,第二○六五期,九十年十二月,頁三至五。
10. 48. 劉邦繡,性侵害犯罪防治法之性侵害犯罪新解--以一九九九年修正之刑法妨害性自主罪、妨害風化罪為論述,律師雜誌,第二六七期,九十年十二月,頁八六至一一八。
11. 10. 周煌智,性侵害犯罪加害人鑑定與刑前治療實務,刑事法雜誌,第四十五卷第三期,九十年六月,頁一二七至一四四。
12. 45. 黃徵男,我國監獄調查分類制度之創新與變革,警學叢刊,第三十三卷第二期,九十一年九月,頁一三三至一四四。
13. 44. 黃富源,性侵害犯罪加害人登記與公告制度與其法律問題,月旦法學雜誌,第九十六期,九十二年五月,頁一二八至一四七。
14. 43. 黃富源、廖有祿,性侵害加害者特性分析之研究,中央警察大學犯罪防治學報,第二期,九十年十二月, 頁一五三至一七九。
15. 42. 黃富源、廖有祿,性侵害加害者人格特質與犯罪手法之研究--陳進興個案分析,中央警察大學犯罪防治學報,第一期,八十九年十月,頁一八五至二○八。