臺灣博碩士論文加值系統

氯化亞銅(CuCl)是一種銅的氯化物，為寬能隙(3.399eV) I-VII族化合物半導體，且CuCl材料擁有突出的激子束縛能190 meV，使得CuCl相當有潛力開發為UV/Blue 發光元件。

因此本論文則是以化學浴沉積法於銅基板以氯化銅及氯化鈉溶液製備氯化亞銅薄膜，且與單獨利用氯化銅溶液所製備出的氯化亞銅薄膜作比較。

而研究結果得知以化學浴沉積法已可以製備出良好特性的氯化亞銅薄膜，且加入氯化鈉所製備出的氯化亞銅薄膜比未加入的沉積薄膜特性更佳，可改善Cl原子在CuCl薄膜中的比例。

Copper (I) chloride (CuCl) is a kind of copper chloride, which is a broad band gap (3.399eV) I-VII compound semiconductor. CuCl has a prominent exciton binding energy of 190 meV, which makes CuCl considerable potential for the development of UV / Blue light-emitting devices.

In this paper, CuCl films were deposited on copper substrate by chemical bath deposition using copper chloride and sodium chloride solution, and compared with the CuCl films deposited using only the copper chloride solution.

The results show that the characteristics of CuCl films deposited by chemical bath deposition are very good. The characteristics of the CuCl film deposited by adding sodium choride solution are better than those of the film deposited without sodium chloride solution, and the proportion of Cl atoms in CuCl films can be improved.

摘要
Abstract
誌謝
目錄
圖目錄
表目錄
第一章 前言
1.1 研究源起
1.2 研究內容
第二章 基本理論
2.1 化學浴沉積法（Chemical Bath Deposition, CBD）
第三章 實驗步驟與方法
3.1實驗材料
3.1.1實驗藥品
3.1.2 實驗基材
3.2 實驗流程
3.3 薄膜成長參數
第四章 量測儀器簡介及分析方式
4.1 X光繞射（X-Ray Diffraction, XRD）分析
4.2 光激發螢光（Photoluminescence, PL）
4.3 掃描式電子顯微鏡（Scanning Electron Microscopy, SEM）
4.4 能量散射光譜儀（Energy Dispersive Spectroscopy, EDS）
4.5 X光光電子能譜儀（X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS）
第五章 實驗結果與討論
5.1 光激發螢光（PL）-光學特性分析
5.2 X光繞射（XRD）-晶相結構分析
5.3 掃描式電子顯微鏡（SEM）和能量分散光譜儀（EDS）-薄膜表面形態與元素分析
5.4 X光光電子能譜儀（XPS）-縱深分析
第六章 結論
參考文獻

圖4-1 布拉格方程式與晶格繞射示意圖
圖5-1 摻入不同濃度之氯化鈉溶液所製備的樣品的光激發螢光光譜比較圖
圖5-2 摻入不同濃度之氯化鈉溶液所製備的樣品的X光繞射比較圖
圖5-3 從Conc.3、Conc.4以及Conc.8樣品中選取典型的X光光電子能譜儀寬掃描全能譜
圖5-4 Conc.3、Conc.4以及Conc.8樣品之Cu2p、Cl2p、O1s、Na1s的高解析度X光光電子能譜儀能譜
圖5-5 Conc.3、Conc.4以及Conc.8樣品之X光光電子能譜儀縱深分析的元素比例分布圖
圖5-6 Conc.3與Conc.8樣品之X光光電子能譜儀縱深分析的元素比例分布比較圖

表1-1為氮化鎵(GaN), 氧化鋅(ZnO), 氯化亞銅(CuCl)的基本特性
表1-2 氯化亞銅的材料特性[1]
表3-1 摻入不同莫爾濃度氯化鈉之樣品的參數表
表5-1 摻入氯化鈉濃度高於5X10-2M所製備樣品的光激發螢光光譜圖
表5-2 銅基板的光激發螢光光譜圖
表5-3 摻入濃度2.5X10-2M以下之氯化鈉溶液所製備樣品的光激發螢光光譜圖
表5-4 摻入不同濃度之氯化鈉溶液樣品於3.24eV的光激螢光強度比值
表5-5 摻入不同濃度之氯化鈉樣品的X光繞射強度比值
表5-6摻入不同濃度之氯化鈉樣品的掃描式電子顯微鏡上視圖
表5-7 摻入不同濃度之氯化鈉溶液樣品的表面能量分散光譜儀分析數據
表5-8 Conc.3樣品的表面能量分散光譜儀分析數據

[1]https://en.wikipedia.org/wiki/Copper(I)_chloride

[2]http://eportfolio.lib.ksu.edu.tw/~G970J013/wiki/index.php/CBD

[3]Alejandro Martinez-Ruiz, Ma. Guadalupe Moreno, Noboru Takeuchi, Solid State Sciences 5 (2003) 291

[4]Yu-Ting Lin, “Fabrication of cuprous chloride films on copper substrate by chemical bath deposition”, Chung Yuan Christian University Department of Electronic Engineering Master Thesis (2015).

[5]http://www.materialsnet.com.tw/AD/ADImages/AAADDD/MCLM100/download/equipment/XR/TF-XRD/TF-XRD002.pdf

[6]http://web.phys.ntu.edu.tw/asc/FunPhysExp/ModernPhys/exp/Microsoft%20Word%20-%20semiconductor%20photoluminescence.pdf

[7]http://www.twword.com/wiki/%E9%B9%BD%E6%95%88%E6%87%89

[8] L. O’Reilly, O.F. Lucas, P.J. McNally, A. Reader, G. Natarajan, S. Daniels, D.C. Cameron, A. Mitra, M. Martinez-Rosas, A.L. Bradley, J. Appl. Phys. 98 (2005) 113512.