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研究生:謝孟婷
論文名稱:CdSe量子點與CdSe/ZnS、CdSe/ZnSe核殼結構量子點之合成與性質分析
論文名稱(外文):Synthesis and Characterization of CdSe Quantum Dots and CdSe/ZnS、CdSe/ZnSe Quantum Dots
指導教授:韋光華韋光華引用關係
學位類別:碩士
校院名稱:國立交通大學
系所名稱:材料科學與工程系所
學門:工程學門
學類:材料工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2004
畢業學年度:93
語文別:中文
論文頁數:57
中文關鍵詞:硒化鎘硒化鎘/硫化鋅硒化鎘/硒化鋅量子點
外文關鍵詞:CdSeCdSe/ZnSCdSe/ZnSeQuantum dots
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本論文主軸是研究CdSe量子點與CdSe/ZnS、CdSe/ZnSe核殼結構量子點之合成;而從紫外光-可見光吸收光譜、光激發光光譜、粉末X光射圖譜、穿透式電子顯微鏡影像和高解析度光電子能譜來分析探討CdSe量子點之光學與結構性質,及形成核殼結構後,對光學與結構性質上所造成的影響。
在以化學膠體法合成CdSe量子點的方面,固定的Cd/Se前驅物比例和反應溫度的條件下,已經可以利用反應時間來取得不同粒徑大小、不同光色的CdSe量子點,並且尺寸分佈相當均勻,結晶度高。而CdSe/ZnS、CdSe/ZnSe量子點合成後也透過分析,確定其核殼結構的形成。
光學性質方面,CdSe量子點呈現量子侷限效應的影響,即隨著量子點尺寸的減小,能隙會逐漸變大,而有藍位移的現象,並且由文獻所得的公式,可計算出量子點之粒徑;而CdSe/ZnS、CdSe/ZnSe核殼結構量子點也因量子穿遂效應,因殼層成長而產生紅位移現象。
結構性質方面,經過配峰的結果,CdSe量子點為wurtzite結構,並且長短軸的比值約為1.3,為橢球型;從TEM影像來看,也能證實這項結果。而CdSe/ZnSe核殼結構量子點也可得到因核殼結構形成,使各繞射峰往高角度移動的結果。CdSe/ZnS量子點雖未有明顯位移,但可能是因殼層較薄,對X光繞射貢獻較少,所以結果不顯著。
光電子結構方面,可看出Se 3d 可分為表面與塊材兩部分,顯示表面Se原子與表面包覆劑鍵結。以吡啶取代表面TOPO/TOP的CdSe量子點後,有電荷消耗的情形,導致激發光強度的減弱,使表面狀態HOMO峰的強度下降。
中文摘要 Ⅰ
英文摘要 Ⅲ
誌謝 Ⅴ
總目錄 Ⅵ
表目錄 Ⅷ
圖目錄 Ⅸ

第一章 序論 1
1-1簡介 1
1-2研究動機與目的 2

第二章 文獻回顧 3
2-1前言 3
2-2量子點之量子效應 3
2-2-1 量子侷限效應 3
2-2-2 表面效應 4
2-2-3 尺寸效應 5
2-3 CdSe核殼結構量子點之類型 5
2-4 CdSe及其核殼結構量子點合成技術之演進 6
2-5 CdSe量子點之應用簡介 8
2-5-1 生命科學中的應用 8
2-5-2 發光二極體方面的應用 9

第三章 實驗架構與分析儀器 11
3-1實驗藥品 11
3-2實驗儀器 13
3-3材料性質分析 14
3-4實驗步驟與流程圖 15
3-4-1 CdSe量子點之合成 15
3-4-2 CdSe/ZnSe核殼結構之合成 16
3-4-3 CdSe/ZnS核殼結構之合成 17
3-4-4 CdSe量子點之表面改質 17

3-5 實驗流程圖 18
3-5-1 實驗架構 18
3-5-2 CdSe量子點合成流程圖 19
3-5-3 CdSe核殼結構量子點合成流程圖 20

第四章 結果與討論 21
4-1 CdSe量子點性質分析 21
4-1-1 紫外光-可見光吸收光譜與光激發光譜 21
4-1-2穿透式電子顯微鏡影像 22
4-1-3粉末X光繞射圖譜 22
4-1-4高解析度光電子能譜 24
4-1-4-1 工作原理 24
4-1-4-2 數據分析 25
4-2 CdSe/ZnSe量子點性質分析 26
4-2-1 紫外光-可見光吸收光譜 26
4-2-2光激發光譜 26
4-2-3粉末X光繞射圖譜 27
4-3 CdSe/ZnS量子點性質分析 28
4-3-1 紫外光-可見光吸收光譜 28
4-3-2光激發光譜 29
4-3-3粉末X光繞射圖譜 30

第五章 結論 32

參考文獻 34
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