臺灣博碩士論文加值系統

本論文探討的微影製程，主要為極紫外光微影製程，與浸潤式微影製程，對半導體製程可能之影響。論文主題，為探討目前於極紫外光之進程，以及目前參數，搭配後之差異對比。

浸潤式微影製程發展多年，已臻成熟，但對於挑戰物理極限至7奈米以下，已經是被確認無法達成，但透過最新技術的開發，目前極紫外光機台，已能做小量試產，相關應用在多年前被探討時，對於浸潤式、極紫外光，及電子束微影製程，有諸多探討，並對於極紫外光，及電子束之發展，有極大的信心，但最終市場因為成本優勢、技術優勢、供應商配合程度，以及客戶認證配合等等，極紫外光在目前勝出，有其被探討之重要性。

The thesis was to discuss the possible influence of EUV (Extreme Ultraviolet) and LIL (Liquid immersion lithography) lithography in semiconductor process. This including the EUV progress, and how it works with variable process parameters.

The related applications have been discussed many years, however, the industry has acknowledged that current LIL technology cannot achieve 7nm line width. Through the latest technology development, the EUV of ASML has been applied for small volume mass production.
The confidence of EUV and MEB lithography was given when discussing the possible progress of LIL, EUV and MEB, nevertheless, the current market has decided to conduct the next generation lithography EUV based on the advantage of cost, technology, cooperation of equipment vender and product verification from customer. The related evidence showed that the value of discussion on EUV.

誌謝 i
中文摘要 ii
ABSTRACT iii
CONTENTS iv
LIST OF FIGURES vi
LIST OF TABLES viii
第一章 緒論…………. 9
1.1 前言 9
1.2研究動機 9
第二章 基礎理論與文獻回顧 11
2.1 微影技術 11
2.1.1微影技術 11
2.1.2 技術藍圖 15
2.2 浸潤式微影與其技術之演進 15
2.2.1浸潤式微影技術 15
2.2.2浸潤式微影技術簡史 18
2.2.3 第一代浸潤式微影技術 18
2.2.4 第二代浸潤式微影技術 18
2.2.5 第三代浸潤式微影技術 20
2.2.6 第四代浸潤式微影技術 21
2.3 次世代微影技術 (Next Generation Lithography) 22
2.3.1 奈米壓印技術 23
2.3.2 超紫外光微影技術 (EUVL， Extreme Ultraviolet Lithography) 23
2.3.3 超紫外光商業化 24
2.3.4 多重電子束(MEB， Multi Electronic Beam)微影技術 24
2.3.5極紫外光微影(EUV; Extreme Ultraviolet) 25
第三章 EUV & Immersion探討與研究 34
3.1 相關製程設備 34
3.1.1 ASML EUV NXE3350B 機型 : 34
3.1.2 ASML Immersion TWINSCAN XT:1460K 機型 : 35
3.1.3 量測設備機型 : 36
3.2 能力比對與現況分析 37
第四章 結果與討論 38
4.1 浸潤式製程之現況 38
4.2 乾式與浸潤式之製程能力比對 38
4.3 EUV與浸潤式之製程能力比對 41
4.4 EUV與浸潤式之生產效能比較 45
第五章 結論 47
參考文獻 50

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