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本論文旨在討論近幾年更適合應用在薄膜電晶體(TFT)主動層的薄膜半導體氧化銦鎵鋅(α-IGZO)，氧化銦鎵鋅半導體不僅有比傳統非晶矽半導體有著更好的載子遷移率、低溫製程、穿透率高等優點，對於提高面板的高解析度更佳，省電能力以及反應速度更好的情況下，勢必近期內將快速崛起於TFT面板產業上。
從探討α-IGZO之演變並取代α-Si元件，至α-IGZO設計出製程條件與各種參數的搭配，進而從中觀察量測α-IGZO元件電性的變化，藉以從中找出最適合應用在現今量產的TFT模組上。
本論文的目的在於找出α-IGZO的最佳特性，使用直流濺鍍的方式來沉積氧化銦鎵鋅薄膜，在使用不同的製成條件下，所產出的元件其特性皆有差異，研究各項參數對α-IGZO元件所帶來的影響。
最後在實驗部份會找出一組α-IGZO模組，該模組為各項參數下電性上表現最佳，再由儀器HL5500PC檢測元件電性，以確認條件成立。

中文摘要 i
誌 謝 ii
目 錄 iii
圖目錄 iv
表目錄 v

第一章、緒論 1
1.1 前言 1
1.2 研究背景與動機 2
1.3 IGZO的優勢 5
1.4 論文架構 5

第二章、研究方法與進行步驟 7
2.1 靶材簡介 7
2.2 濺鍍設備 12
2.3 直流濺鍍 15

第三章、實驗參數 18
3.1 製程參數 18
3.2 功率對IGZO薄膜的影響 18
3.3 氧流量對IGZO薄膜的影響 21
3.4 氣體比例對IGZO薄膜的影響 23
3.5 壓力對IGZO薄膜的影響 28
3.6 濺鍍溫度對IGZO薄膜的影響 30

第四章、實驗結果與討論 34
4.1 量測設備(一) HL5500PC霍爾效應量測系統 34
4.2 量測設備(二) Filmetrics薄膜厚度量測儀F20 39
4.3 量測設備(三) 分光光譜儀 U-4100 43
4.4 量測設備(四) 電子顯微鏡 TEM 45
4.5 量測設備(五) 掃描式電子顯微鏡 SEM 48

第五章、結論與建議 55
參考文獻 58

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