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研究生:蘇展志
研究生(外文):Su Chan Chih
論文名稱:封裝製程中黏晶脫層問題之研究
論文名稱(外文):Study of Delamination for Die Attach Process in IC Assembly
指導教授:王進安王進安引用關係謝傑任
學位類別:碩士
校院名稱:明新科技大學
系所名稱:精密機電工程研究所
學門:工程學門
學類:機械工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2010
畢業學年度:99
語文別:中文
論文頁數:78
中文關鍵詞:薄膜型黏晶材料脫層氣洞最佳化設計反應曲面法
外文關鍵詞:DAFDelaminationVoidOptimization designResponse Surface Methodology
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隨著科技的進步,目前在可攜式行動上網等資訊產品上,除了將走向輕、薄、短、小這四大趨勢外,幾乎所有的資訊性產品也積極地往高效能、低耗電量以及散熱性佳的方向發展。當多數人的目光都集中在如何能改善矽晶圓製程時,卻往往忽略了後段封裝技術的重要性,而堆疊晶片封裝體就是封裝技術演進的成果,。在新的時代一切講求快速及自動化組合體系中,對黏著劑的使用技術層面也相對的提高要求更高。而採用新的薄膜型黏晶材料技術(Die Aattach Film,DAF)的應用,使黏晶此技術更將趨向快速、易操作、不浪費、結合均勻等目標,同時。對此也改善了過去使用一般傳統的黏著膠之缺點,諸如塗佈厚度的均勻性及溶劑揮發時間(溶劑型黏著劑)不易控制等。
在IC封裝過程中,尚有許多因素影響著封裝後產品的穩定性與可靠度。例如在溫度、濕度、應力、壓力、封裝體幾何尺寸等因素之影響下,常使得封裝體發生翹曲變形(Warpage)、脫層(Delamination)與晶裂(Crack)等現象。在過去的研究中,對於翹曲、環氧樹脂(EMC)與基板的脫層研究報告非常的多,但對於多層封裝結構中的脫層問題探討則較少。
本研究針對黏晶製程所產生的內部氣孔(Void)之影響因子詳加分析探討,首先找出關鍵品質特性,歸納出影響製程的關鍵因子,再利用Design Expert 6.0.10軟體來設計實驗架構。黏晶製程中所使用的吸嘴、黏晶的壓力與烘烤時的壓力等,都是影響氣孔產生的敏感因子。
本研究利用最佳化設計法中的反應曲面法進行實驗,選用3個因子及配合3個等級條件共計15種條件,經最佳化製程設計以尋找最佳參數條件的組合,並進行最佳參數能力之驗證使品質更穩定,增加封裝後產品的可靠度。

關 鍵 詞:薄膜型黏晶材料、脫層、氣洞、最佳化設計、反應曲面法

The application of Die Attach Film (DAF) has greatly improved the quality for IC assembly. It is also a cost effective technology getting more and more interesting in industry. Warpage, delamination and cracking are problems common found during IC assembly. Void formation within adhesive at the interface between chip and substrate
can cause delamination. In this study, process optimization for die attach process using DAF is investigated to reduce void formation. Bond head, bonding pressure and curing pressure are analyzed for optimization using Design Expert.
Results show that increase in both bonding and curing baking pressure can reduce the void formation while type of bond head shows the dominant influence.


Keywords : DAF, Delamination, Void, Optimization design,
Response Surface Methodology

摘要 i
Abstract ii
誌謝 iii
目錄 iv
表目錄 vii
圖目錄 viii
第一章 緒論 1
1.1 前言 1
1.2 研究動機與目的 1
1.3 文獻回顧 2
1.3.1 六個標準差實務應用 3
1.3.2 最佳化設計實務應用 4
1.3.3 反應曲面法在解決問題之應用 5
1.4 文章架構 6
第二章 封裝製造業介紹 8
2.1 半導體製程簡介 8
2.1.1 半導體概述 9
2.1.2 矽晶圓片製程 11
2.1.3 晶圓製程概述 11
2.1.4 晶圓針測製程概述 12
2.2 半導封裝製程簡介 13
2.2.1 IC封裝製程簡介 15
2.2.2 BGA/LGA封裝構裝 18
2.2.3 堆疊構裝技術 20
2.3 環氧樹脂 21
2.3.1 環氧樹脂的特性 21
2.3.2 逐步硬化反應 22
2.3.3 環氧樹脂熱硬化之反應機構 23
2.3.4 環境效應 23
2.4 封裝前製程常見的問題 24
2.4.1 氣洞造成的晶片脫層 24
2.4.2 晶片破裂(Die Crack) 25
2.4.3 金線脫離(NSOL) 26
2.4.4 銲墊剝離(Peeling) 26
2.5 RoHS相關法令 27
2.5.1 歐盟三大環保指令 27
第三章 實驗方法與理論 31
3.1 實驗計劃法概論 31
3.1.1 反應曲面法 31
3.1.1.1 反應曲面設計 32
3.1.1.2 反應曲面最佳化 33
3.1.1.3 反應曲面數學模型 35
3.1.2 信號雜訊比 36
3.1.3 變異數分析 37
3.1.4 殘差分析 40
3.2 實驗設計理論 40
3.3 最佳化設計概論 41
3.4 實驗步驟 44
第四章 實驗規劃 48
4.1 實驗設備與及步驟 50
4.2 實驗材料 52
4.3 檢測儀器 54
4.3.1 掃描式聲學檢測儀 54
4.3.2 掃描式電子顯微鏡顯微鏡 56
第五章 實驗結果與分析 58
5.1 訊號雜訊比 58
5.2 變異數分析 59
5.3 殘差分析 61
5.4 最佳化參數分析 67
5.5 結果驗証 67
第六章 結論與未來展望 70
6.1 結論 70
6.2 未來展望 72
參考文獻 73

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